一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法[发明专利]

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专利名称：一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法专利类型：发明专利

发明人：张为国,王栩生,章灵军申请号：CN201210028525.7申请日：20120209公开号：CN102593244A公开日：20120718

摘要：本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，包括如下步骤：(1)表面清洗及织构化，然后采用单步扩散法对p型硅片进行轻扩散，制备p-n结；(2)清洗刻蚀去边、镀减反射膜；(3)在硅片的镀膜面电极区域丝网印刷含磷的银浆料，形成p-n结；(4)第一次烧结；(5)在硅片的非镀膜面印刷背电极和背电场；(6)第二次烧结，即可得到选择性发射极晶体硅太阳电池。本发明开发了一种新的制备选择性发射极晶体硅太阳电池的方法，该方法的制备成本较低，制备时间较短，且可与现有标准电池工艺兼容，具有产业化前景。

申请人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,阿特斯(中国)投资有限公司

地址：215129 江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号

国籍：CN

代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司

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