专利名称:TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法专利类型:发明专利发明人:郝昭慧,柳在一申请号:CN200710177428.3申请日:20071115公开号:CN101435962A公开日:20090520
摘要:本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板结构及其制造方法,阵列基板结构包括基板、至少一个栅扫描线、栅绝缘层、数据电极、第一搀杂半导体层、半导体层、第二搀杂半导体层和像素电极,使像素电极与数据电极之间竖直方向的半导体层形成竖直方向的导电沟道。制造方法包括:在基板上形成至少一个栅扫描线;形成栅绝缘层;形成数据电极;依次形成第一搀杂半导体层、半导体层、第二搀杂半导体层和像素电极,使像素电极与数据电极之间竖直方向的半导体层形成竖直方向的导电沟道。本发明形成了一种立式TFT结构,缩短了导电沟道长度,使开关电流增大,TFT-LCD的亮度、响应速度得到提高,改善了TFT-LCD的显示性能。
申请人:北京京东方光电科技有限公司
地址:100176 北京市经济技术开发区西环中路8号
国籍:CN
代理机构:北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人:刘芳
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