专利名称：光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法专利类型：发明专利发明人：黄君,毛智彪,张瑜申请号：CN201310195621.5申请日：20130523公开号：CN103309151A公开日：20130918
摘要：本发明揭示了一种光刻胶的处理方法，包括：提供基底，所述基底上具有图形化的光刻胶；在所述光刻胶上旋涂微缩辅助膜，以在所述光刻胶的表面形成保护膜；采用低温低能等离子处理工艺处理所述保护膜。本发明的光刻胶的处理方法，能够在保证线宽的前提下，有效地提高所述光刻胶的表面致密度，避免或减少缺陷的产生。
申请人：上海华力微电子有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：陆花
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