专利名称：一种场效应晶体管及形成方法专利类型：发明专利发明人：赵猛
申请号：CN201110233388.6申请日：20110815公开号：CN102938375A公开日：20130220
摘要：一种场效应晶体管及形成方法，其中所述场效应晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的栅极结构，所述栅极结构的侧壁表面形成有侧墙；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的轻离子注入区域，所述轻离子包括氮离子、碳离子、氟离子其中至少两种；位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内的轻掺杂源/漏区，所述轻掺杂区的深度小于所述轻离子注入区域的深度；位于所述侧墙两侧的半导体衬底内的重掺杂源漏区。由于所述轻离子能抑制轻掺杂源/漏区中杂质离子的扩散，使得所述形成的轻掺杂源/漏区结深较浅且较陡峭，缓解了短沟道效应，提高了场效应晶体管的电学性能。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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