专利名称：晶圆级封装结构及其形成方法、以及封装方法专利类型：发明专利
发明人：刘张波,王之奇,喻琼,王蔚申请号：CN201410041994.1申请日：20140128公开号：CN103762221A公开日：20140430
摘要：一种晶圆级封装结构及其形成方法、以及封装方法，其中，晶圆级封装结构包括：包括若干芯片区域和位于芯片区域之间的切割道区域的待封装晶圆，且待封装晶圆包括第一面和与第一面相对的第二面；位于待封装晶圆芯片区域第一面的焊垫和感光元件；覆盖于焊垫和切割道区域表面的第一围堤结构，位于第一围堤结构上方的第二围堤结构，第二围堤结构的宽度小于第一围堤结构的宽度，且第二围堤结构的位置对应于切割道区域对应的位置；与所述待封装晶圆第一面相对设置的封装盖，且通过所述第一围堤结构和第二围堤结构将封装盖与待封装晶圆固定接合。本发明在封装工艺的最后使封装盖和待封装晶圆自动分离，使得封装工艺后形成的芯片的性能更优越。
申请人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
地址：215021 江苏省苏州市苏州工业园区汀兰巷29号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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