专利名称：晶圆级封装方法及封装结构专利类型：发明专利发明人：王景道,姜利军申请号：CN201410241624.2申请日：20140603公开号：CN103985642A公开日：20140813
摘要：本发明提供一种晶圆级封装方法及封装结构，所述封装方法包括如下步骤：提供一第一基板和一第二基板；在所述第一基板和第二基板的表面形成焊环；以所述第一基板的焊环和第二基板的焊环为中间层，对所述第一基板及第二基板进行键合，所述第一基板的焊环与所述第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件。本发明的优点在于，所述第一基板的焊环与所述第二基板的焊环形成深腔，所述深腔用于容纳外部器件。本发明采用加厚的焊环形成的深腔替代深腔刻蚀或额外的深腔环，大大简化了结构及工艺。
申请人：杭州大立微电子有限公司
地址：310053 浙江省杭州市滨江区滨康路639号二区2402室
国籍：CN
代理机构：上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)
代理人：孙佳胤
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