专利名称：一种N型太阳能硅单晶料的制备方法专利类型：发明专利发明人：不公告发明人申请号：CN201810223157.9申请日：20180319公开号：CN108277530A公开日：20180713
摘要：本发明公开了一种N型太阳能硅单晶料的制备方法，包括如下步骤：加料、熔化、缩颈生长、放肩生长和收尾。本发明在N型太阳能硅单晶料制备过程中直接观察制备情况，为控制硅单晶料的外形提供了有利条件，利用控制提拉速度控制晶体的直径，能够精密控制生长条件，以较快的速度获得优质大单晶，并且采用了缩颈工艺，对降低晶体的位错密度，减少镶嵌结构，提高晶体的完整性有很大作用。
申请人：卡姆丹克太阳能(江苏)有限公司
地址：226000 江苏省南通市海安县经济技术开发区黄海大道
国籍：CN
代理机构：北京天奇智新知识产权代理有限公司
代理人：王泽云
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