一种高导电性铝合金薄膜及其制备方法[发明专利]

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专利名称：一种高导电性铝合金薄膜及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：赵冠楠,严彪,张永,郑增,牛俊超申请号：CN201510271557.3申请日：20150525公开号：CN104962871A公开日：20151007

摘要：本发明涉及一种高导电性铝合金薄膜及其制备方法，化学成分为Al-Sn-X，其中X为Fe、Ni、Zn或Si元素中的一种或几种，铝合金薄膜在25℃的条件下电阻率为1.7～2.1μΩ·cm，采用纳米晶铝合金薄膜的制备、纳米晶铝合金薄膜的热处理两个步骤制备得到高导电性铝合金薄膜。与现有技术相比，本发明通过引入合金元素Sn,采用较为相对简单的加工工艺以及廉价的合金元素，极大的提升了铝合金薄膜的导电性能，可以广泛应用于半导体连接件、液晶显示等方面。

申请人：同济大学

地址：200092 上海市杨浦区四平路1239号

国籍：CN

代理机构：上海科盛知识产权代理有限公司

代理人：陈亮

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