专利名称：适用于CMOS成像传感器的超低噪声放大器专利类型：发明专利
发明人：H·T·杜,宫晨光,A·M·麦格纳尼申请号：CN201780092690.X申请日：20170629公开号：CN110832847A公开日：20200221
摘要：本发明公开了一种低噪声放大器。该放大器包括：信号放大器，其具有放大器信号输出；第一滤波电容器；缓冲放大器，其具有缓冲放大器输入和缓冲放大器输出；和开关网络。第一滤波电容器具有第一和第二端子。第二端子连接至电源轨。在第一时间段期间，放大器信号输出通过第一直流路径连接至缓冲放大器输入，并且缓冲放大器通过第二直流路径连接至第一滤波电容器的第一端子。在第二时间段内，放大器信号输出通过第三直流路径直接连接至第一滤波电容器的第一端子，并且在第三时间段内，通过电阻将放大器信号输出到第一滤波电容器的第一端子。
申请人：BAE系统成像解决方案有限公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京三幸商标专利事务所(普通合伙)
代理人：刘卓然
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