（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201410370759.9 （22）申请日 2014.07.30
（71）申请人 上海合晶硅材料有限公司
地址 201617 上海市松江区贵南路500号
（10）申请公布号 CN105304482A
（43）申请公布日 2016.02.03
（72）发明人 丁斌;江笠;谢江华
（74）专利代理机构 上海脱颖律师事务所
代理人 李强
（51）Int.CI
H01L21/308;
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
硅片腐蚀方法
（57）摘要
本发明公开了一种硅片腐蚀方法，其特征
在于，硅片表面设置有一层二氧化硅层；首先在所述二氧化硅层表面贴附有保护膜；然后使用氢氟酸腐蚀，所述氢氟酸从二氧化硅层的侧壁腐蚀去除部分二氧化硅，得到附有二氧化硅层的硅片。本发明中的硅片腐蚀方法，可提高硅片表面二氧化硅薄膜边缘质量，彩虹过渡区从边缘124.8μm降低至30μm，不良率由2.5％降低至
法律状态信息
公开 公开
发明专利申请公布后的视为撤回
法律状态
公开 公开
发明专利申请公布后的视为撤回
1％以下。
法律状态
法律状态公告日
2016-02-03 2016-02-03 2018-02-27
权利要求说明书
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说明书
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