专利名称：一种射频前端器件的阻焊结构专利类型：实用新型专利
发明人：张伟,朱德进,綦超,王婕,刘石桂,李前宝申请号：CN202021375281.6申请日：20200714公开号：CN212277197U公开日：20210101
摘要：本实用新型公开了一种射频前端器件的阻焊结构，包括层压板，在所述层压板上设有裸芯片器件，在所述裸芯片器件的贴装面上设有环氧薄膜层，在所述层压板与环氧薄膜层之间设有阻焊层。本实用新型能实现采用裸芯片进行一次封装，且能有效阻止表面覆膜进入芯片底部，可靠性和稳定性更好。
申请人：天通凯美微电子有限公司
地址：314400 浙江省嘉兴市海宁经济开发区双学路23号-1
国籍：CN
代理机构：浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人：王丽丹
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