压力传感器、压力传感装置及其制备方法[发明专利]

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专利名称：压力传感器、压力传感装置及其制备方法专利类型：发明专利发明人：郭小军,陈苏杰,唐伟申请号：CN2020105279.3申请日：20200611公开号：CN111811700A公开日：20201023

摘要：本发明涉及一种压力传感器、压力传感装置及其制备方法。所述压力传感器包括：衬底；薄膜晶体管，包括位于所述衬底表面的栅电极、覆盖所述栅电极的绝缘层、位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极、以及覆盖所述源电极和所述漏电极的半导体层；压力敏感薄膜，位于所述半导体层表面；下触发电极，位于所述压力敏感薄膜背离所述半导体层的表面；隔离柱，位于所述下触发电极背离所述压力敏感薄膜的表面；柔性防静电薄膜，位于所述隔离柱上方；上触发电极，位于所述柔性防静电薄膜朝向所述下触发电极的表面。由本发明提供的压力传感器组成的压力传感装置能够提高读取速度，降低功耗。

申请人：上海交通大学

地址：200030 上海市徐汇区华山路19号

国籍：CN

代理机构：上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

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