专利名称：电磁场辐射探测仪专利类型：实用新型专利发明人：唐枋
申请号：CN201720713061.1申请日：20170619公开号：CN206804736U公开日：20171226
摘要：本实用新型公开了一种电磁场辐射探测仪，包括主机和探头，探头与主机相连，所述主机包括单片机，所述探头包括天线与安装于天线腔体内的检波模块、滤波模块和低噪声放大模块，检波模块、滤波模块和低噪声放大模块依次连接；所述主机还包括频选模块，所述天线接收到的电磁波信号由检波模块检波后形成电压信号，所述单片机接收电压信号进行模数转换后，通过查找与频选模块对应的频点的电压‑‑辐射值表格而输出对应的辐射值；所述检波模块与滤波模块连接所述检波模块具备第一差分输入端，用于差分输入被测电压，所述滤波模块具备输出端，用于输出检波信号。
申请人：重庆湃芯微电子有限公司
地址：400064 重庆市九龙坡区高新区石桥铺石杨路17号77-1及77-4万昌国际商业城三楼孵化基地B108
国籍：CN
代理机构：北京同恒源知识产权代理有限公司
代理人：赵荣之
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