专利名称：半导体发光器件及其制造方法、以及电极层连接结
构
专利类型：发明专利
发明人：土居正人,奥山浩之,琵琶刚志,大畑丰治申请号：CN02800913.4申请日：20020212公开号：CN1460300A公开日：20031203
摘要：在一构造成经过其衬底引出光的半导体发光器件中，电极层形成在有源层上形成的p型半导体层(例如p型GaN层)上，且镍层形成为电极层和p型半导体层之间的且在厚度上被调整为不超出有源层中产生的光的干涉长度的接触金属层。由于镍层充分薄，所以反射效率可以提高。
申请人：索尼公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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