专利名称：双极晶体管及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：柳原学,鹤见直大,田中毅,上田大助申请号：CN03155714.7申请日：20030829公开号：CN1495909A公开日：20040512
摘要：一种双极晶体管，在衬底(11)的上边，用外延生长法，依次叠层集电极接触层(12)、集电极层(13)、基极层(14)、发射极层(15)和发射极接触层(16)。在基极层(14)的外部基极区域(14b)内，在发射极层(15)的附近的区域上，设置由与发射极层(15)相同半导体材料构成的电容膜(18)。此外，在外部基极区域(14b)的上边和电容膜(18)的上边设置基极电极(19)。实现了得到热稳定性和高频特性良好而不会增大芯片面积和制造成本的目的。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汪惠民
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