专利名称：一种采用高K金属栅的半导体器件的制造方法专利类型：发明专利发明人：平延磊,鲍宇,王小娜申请号：CN201210181579.7申请日：20120604公开号：CN103456614A公开日：20131218
摘要：本发明公开了一种采用高K金属栅的半导体器件的制造方法，包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成栅堆栈层，包括依次层叠的高K介电层、TiN覆盖层、多晶硅层，以及位于所述TiN覆盖层和多晶硅层之间的阻挡层；蚀刻所述栅堆栈层以在所述衬底上形成虚设栅极结构；在所述衬底中形成源漏极；去除所述虚设栅极结构的所述多晶硅层；在所述阻挡层形成金属栅极。发明可以解决半导体制造过程不能很好地控制门限电压的技术问题。在制造NMOS和PMOS时，可以分别对阻挡层的厚度作出选择来控制门限电压。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
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