电子工程师必备基础知识手册

电阻

导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、kΩ、MΩ 表示。 一、电阻的型号命名方法：

国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）

第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如R 表示电阻，W 表示电位器。

第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。

第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6- 精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。

第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等 。例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻a1}

二、电阻器的分类

1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。

2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。

3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。

4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。 三、主要特性参数

1、标称阻值：电阻器上面所标示的阻值。

2、允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电阻器的精度。

允许误差与精度等级对应关系如下：±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级

3、额定功率：在正常的大气压力90-106.6KPa 及环境温度为－55℃～＋70℃的条件下，电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。

线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、4、8、10、16、25、40、50、75、100、150、250、500 非线绕电阻器额定功率系列为（W）：1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100 4、额定电压：由阻值和额定功率换算出的电压。

5、最高工作电压：允许的最大连续工作电压。在低气压工作时，最高工作电压较低。

6、温度系数：温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。

7、老化系数：电阻器在额定功率长期负荷下，阻值相对变化的百分数，它是表示电阻器寿命长短的参数。 8、电压系数：在规定的电压范围内，电压每变化1 伏，电阻器的相对变化量。

9、噪声：产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏，包括热噪声和电流噪声两部分，热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动， 使导体任意两点的电压不规则变化。

四、电阻器阻值标示方法

1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。

2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和第二位小数阻值。 表示允许误差的文字符号： 文字符号 D F G J K M

允许偏差 ±0.5% ±1% ±2% ±5% ±10% ±20%

3、数码法：在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。

4、色标法：用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用色标法。 黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无色-±20%

当电阻为四环时，最后一环必为金色或银色，前两位为有效数字， 第三位为乘方数，第四位为偏差。 当电阻为五环时，

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最後一环与前面四环距离较大。前三位为有效数字， 第四位为乘方数， 第五位为偏差。 五、常用电阻器 1、电位器

电位器是一种机电元件，他靠电刷在电阻体上的滑动，取得与电刷位移成一定关系的输出电压。 1.1 合成碳膜电位器

电阻体是用经过研磨的碳黑，石墨，石英等材料涂敷于基体表面而成，该工艺简单， 是目前应用最广泛的电位器。特点是分辩力高耐磨性好，寿命较长。缺点是电流噪声，非线性大， 耐潮性以及阻值稳定性差。 1.2 有机实心电位器

有机实心电位器是一种新型电位器，它是用加热塑压的方法，将有机电阻粉压在绝缘体的凹槽内。有机实心电位器与碳膜电位器相比具有耐热性好、功率大、可靠性高、耐磨性好的优点。但温度系数大、动噪声大、耐潮性能差、制造工艺复杂、阻值精度较差。在小型化、高可靠、高耐磨性的电子设备以及交、直流电路中用作调节电压、电流。 1.3 金属玻璃铀电位器

用丝网印刷法按照一定图形，将金属玻璃铀电阻浆料涂覆在陶瓷基体上，经高温烧结而成。特点是：阻值范围宽，耐热性好，过载能力强，耐潮，耐磨等都很好， 是很有前途的电位器品种，缺点是接触电阻和电流噪声大。 1.4 绕线电位器

绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在绝缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。 1.5 金属膜电位器

金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。

1.6 导电塑料电位器

用特殊工艺将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在绝缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP 电阻粉热塑压在绝缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是：平滑性好、分辩力优异耐磨性好、寿命长、动噪声小、可靠性极高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。 1.7 带开关的电位器

有旋转式开关电位器、推拉式开关电位器、推推开关式电位器 1.8 预调式电位器

预调式电位器在电路中，一旦调试好，用蜡封住调节位置，在一般情况下不再调节。 1.9 直滑式电位器

采用直滑方式改变电阻值。 1.10 双连电位器

有异轴双连电位器和同轴双连电位器 1.11 无触点电位器

无触点电位器消除了机械接触，寿命长、可靠性高，分光电式电位器、磁敏式电位器等。2、实芯碳质电阻器

用碳质颗粒壮导电物质、填料和粘合剂混合制成一个实体的电阻器。

特点：价格低廉，但其阻值误差、噪声电压都大，稳定性差，目前较少用。

3、绕线电阻器

用高阻合金线绕在绝缘骨架上制成，外面涂有耐热的釉绝缘层或绝缘漆。

绕线电阻具有较低的温度系数，阻值精度高， 稳定性好，耐热耐腐蚀，主要做精密大功率电阻使用，缺点是高频性能差，时间常数大。 4、薄膜电阻器

用蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成。主要如下： 4.1 碳膜电阻器

将结晶碳沉积在陶瓷棒骨架上制成。碳膜电阻器成本低、性能稳定、阻值范围宽、温度系数和电压系数低，是目前应用最广泛的电阻器。 4.2 金属膜电阻器

用真空蒸发的方法将合金材料蒸镀于陶瓷棒骨架表面。

金属膜电阻比碳膜电阻的精度高，稳定性好，噪声， 温度系数小。在仪器仪表及通讯设备中大量采用。 4.3 金属氧化膜电阻器

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在绝缘棒上沉积一层金属氧化物。由于其本身即是氧化物，所以高温下稳定，耐热冲击，负载能力强。 4.4 合成膜电阻

将导电合成物悬浮液涂敷在基体上而得，因此也叫漆膜电阻。

由于其导电层呈现颗粒状结构，所以其噪声大，精度低，主要用他制造高压， 高阻， 小型电阻器。 5、金属玻璃铀电阻器

将金属粉和玻璃铀粉混合，采用丝网印刷法印在基板上。 耐潮湿， 高温， 温度系数小，主要应用于厚膜电路。 6、贴片电阻SMT

片状电阻是金属玻璃铀电阻的一种形式，他的电阻体是高可靠的钌系列玻璃铀材料经过高温烧结而成，电极采用银钯合金浆料。体积小，精度高，稳定性好，由于其为片状元件，所以高频性能好。 7、敏感电阻

敏感电阻是指器件特性对温度，电压，湿度，光照，气体， 磁场，压力等作用敏感的电阻器。 敏感电阻的符号是在普通电阻的符号中加一斜线，并在旁标注敏感电阻的类型，如：t. v 等。 7.1、压敏电阻

主要有碳化硅和氧化锌压敏电阻，氧化锌具有更多的优良特性。 7.2、湿敏电阻

由感湿层，电极， 绝缘体组成，湿敏电阻主要包括氯化锂湿敏电阻，碳湿敏电阻，氧化物湿敏电阻。氯化锂湿敏电阻随湿度上升而电阻减小，缺点为测试范围小，特性重复性不好，受温度影响大。碳湿敏电阻缺点为低温灵敏度低，阻值受温度影响大，由老化特性， 较少使用。

氧化物湿敏电阻性能较优越，可长期使用，温度影响小，阻值与湿度变化呈线性关系。有氧化锡，镍铁酸盐，等材料。 7.3、光敏电阻

光敏电阻是电导率随着光量力的变化而变化的电子元件，当某种物质受到光照时，载流子的浓度增加从而增加了电导率，这就是光电导效应。 7.4、气敏电阻

利用某些半导体吸收某种气体后发生氧化还原反应制成，主要成分是金属氧化物，主要品种有：金属氧化物气敏电阻、复合氧化物气敏电阻、陶瓷气敏电阻等。 7.5、力敏电阻

力敏电阻是一种阻值随压力变化而变化的电阻，国外称为压电电阻器。所谓压力电阻效应即半导体材料的电阻率随机械应力的变化而变化的效应。可制成各种力矩计，半导体话筒，压力传感器等。主要品种有硅力敏电阻器，硒碲合金力敏电阻器，相对而言， 合金电阻器具有更高灵敏度。

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电子工程师必备基础知识手册(二)：电容

电容

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波， 调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。用C 表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF。 一、 电容器的型号命名方法

国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别 代表名称、材料、分类和序号。

第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。 第二部分：材料，用字母表示。

第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。 第四部分：序号，用数字表示。

用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E- 其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 二、电容器的分类

1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。

2、按电解质 分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介 质电容器等。

3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型 电容器。

4、频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容 器。

5、低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。 6、滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。 7、调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 8、高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。

9、低耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容 器。

10、小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电 容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。

三、常用电容器 1、 铝电解电容器

用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器。因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.容量大，能耐受大的脉动电流，容量误差大，泄漏电流大；普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz 以上频率低频旁路、信号耦合、电源滤波。

电容量：0.47--10000u 额定电压：6.3--450V

主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 2、 钽电解电容器（CA）铌电解电容（CN）

用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普

通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。 电容量：0.1--1000u 额定电压：6.3--125V

主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容 3、 薄膜电容器

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结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质频率特性好，介电损 耗小不能做成大的容量，耐热能力差滤波器、积分、振荡、定时电路。 a 聚酯（涤纶）电容（CL） 电容量：40p--4u 额定电压：63--630V

主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差 应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路 b 聚苯乙烯电容（CB） 电容量：10p--1u

额定电压：100V--30KV

主要特点：稳定，低损耗，体积较大 应用：对稳定性和损耗要求较高的电路 c 聚丙烯电容（CBB） 电容量：1000p--10u 额定电压：63--2000V

主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差

应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路 4、 瓷介电容器

穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特

性好，介电损耗小，有温度补偿作用不能做成大的容量，受振动会引起容量变化特别适于高频旁路。 a 高频瓷介电容（CC） 电容量：1--6800p 额定电压：63--500V

主要特点：高频损耗小，稳定性好 应用：高频电路

b 低频瓷介电容（CT） 电容量：10p--4.7u 额定电压：50V--100V

主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差 应用：要求不高的低频电路5、 独石电容器

(多层陶瓷电容器)在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q 值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。 容量范围：0.5PF--1UF 耐压：二倍额定电压。

电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。

应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 6、 纸质电容器

一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0.008～0.012mm 的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量。

一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz 的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质。电容器高，稳定性也好，适用于高压电路。 7、 微调电容器

电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的Q 值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。 云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用。 a 空气介质可变电容器 可变电容量：100--1500p

主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等

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应用：电子仪器，广播电视设备等 b 薄膜介质可变电容器 可变电容量：15--550p

主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大 应用：通讯，广播接收机等 c 薄膜介质微调电容器 可变电容量：1--29p

主要特点：损耗较大，体积小

应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿 d 陶瓷介质微调电容器 可变电容量：0.3--22p

主要特点：损耗较小，体积较小 应用：精密调谐的高频振荡回路 8、 陶瓷电容器

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。高频瓷介电容器适用于高频电路。 9、 玻璃釉电容器（CI）

由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成\"独石\"结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008 电容量：10p--0.1u 额定电压：63--400V

主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200 度） 应用：脉冲、耦合、旁路等电路 四、电容器主要特性参数 1、 标称电容量和允许偏差

标称电容量是标志在电容器上的电容量。

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。

精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）

一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。 2、额定电压

在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻

直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。

当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf 时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越大越好。

电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗

电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。 5、频率特性

随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。 五、电容器容量标示 1、 直标法

用数字和单位符号直接标出。如01uF 表示0.01 微法，有些电容用\"R\"表 示小数点，如R56 表示0.56 微法。

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2、 文字符号法

用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10 表示0.1pF,1p0 表示 1pF,6P8 表示6.8pF, 2u2 表示2.2uF 3、 色标法

用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。

电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、 +50%-20%--S、+80%-20%--Z。

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电子工程师必备基础知识手册(三)：电感线圈

关键字： 电感线圈 基础知识 固定电感 可变电感

心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L 表示，单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 电感线圈 电感线圈

电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L 表示，单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 一、电感的分类

按 电感形式 分类：固定电感、可变电感。

按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。

按 工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 二、电感线圈的主要特性参数 1、电感量 L

电感量L 表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。 2、感抗 XL

电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L 和交流电频率f 的关系为XL=2πfL 3、品质因素 Q

品质因素Q 是表示线圈质量的一个物理量，Q 为感抗XL 与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R。 线圈的Q 值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q 值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q 值通常为几十到几百。 4、分布电容

线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的 Q 值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 三、常用线圈 1、单层线圈

单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。 2、蜂房式线圈

如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周，导线来回弯折的次数，常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制，折点越多，分布电容越小 3、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈

线圈的电感量大小与有无磁芯有关。在空芯线圈中插入铁氧体磁芯，可增加电感量和提高线圈的品质因素。 4、铜芯线圈

铜芯线圈在超短波范围应用较多，利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量，这种调整比较方便、耐用。 5、色码电感器

色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。 6、阻流圈（扼流圈）

交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 7、偏转线圈

偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、Q 值高、体积小、价格低。

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电子工程师必备基础知识手册(四)：变压器

变压器

变压器是变换交流电压、电流和阻抗的器件，当初级线圈中通有交流电流时，铁芯（或磁芯）中便产生交流磁通，使次级线圈中感应出电压（或电流）。变压器由铁芯（或磁芯）和线圈组成，线圈有两个或两个以上的绕组，其中接电源的绕组叫初级线圈，其余的绕组叫次级线圈。 一、 分类

按冷却方式分类：干式（自冷）变压器、油浸（自冷）变压器、氟化物（蒸发冷却）变压器。 按防潮方式分类：开放式变压器、灌封式变压器、密封式变压器。

按铁芯或线圈结构分类：芯式变压器（插片铁芯、C 型铁芯、铁氧体铁芯）、壳式变压器（插片铁芯、C 型铁芯、铁氧体铁芯）、环型变压器、金属箔变压器。

按电源相数分类：单相变压器、三相变压器、多相变压器。

按用途分类：电源变压器、调压变压器、音频变压器、中频变压器、高频变压器、脉冲变压器。 二、电源变压器的特性参数 1、工作频率

变压器铁芯损耗与频率关系很大，故应根据使用频率来设计和使用，这种频率称工作频率。 2、额定功率

在规定的频率和电压下，变压器能长期工作，而不超过规定温升的输出功率。 3、额定电压

指在变压器的线圈上所允许施加的电压，工作时不得大于规定值。 4、电压比

指变压器初级电压和次级电压的比值，有空载电压比和负载电压比的区别。 5、空载电流

变压器次级开路时，初级仍有一定的电流，这部分电流称为空载电流。空载电流由磁化电流（产生磁通）和铁损电流（由铁芯损耗引起）组成。对于50Hz 电源变压器而言，空载电流基本上等于磁化电流。 6、空载损耗

指变压器次级开路时，在初级测得功率损耗。主要损耗是铁芯损耗，其次是空载电流在初级线圈铜阻上产生的损耗（铜损），这部分损耗很小。 7、效率

指次级功率P2 与初级功率P1 比值的百分比。通常变压器的额定功率愈大，效率就愈高。 8、绝缘电阻

表示变压器各线圈之间、各线圈与铁芯之间的绝缘性能。绝缘电阻的高低与所使用的绝缘材料的性能、温度高低和潮湿程度有关。

三、音频变压器和高频变压器特性参数 1、频率响应

指变压器次级输出电压随工作频率变化的特性。

2、通频带

如果变压器在中间频率的输出电压为U0，当输出电压（输入电压保持不变）下降到0.707U0 时的频率范围，称为变压器的通频带B。

3、初、次级阻抗比

变压器初、次级接入适当的阻抗Ro 和Ri,使变压器初、次级阻抗匹配，则Ro 和Ri 的比值称为初、次级阻抗比。在阻抗匹配的情况下，变压器工作在最佳状态，传输效率最高。

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www.powersystems.eetchina.com 电子工程师必备基础知识手册(电子工程师必备基础知识手册(五)：半导体器件 半导体器件 半导体器件 半导体器件 一、 中国半导体器件型号命名方法 中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N 型锗材料、B-P 型锗材料、C-N 型硅材料、D-P 型硅材料。表示三极管时：A-PNP 型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN 型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管 （f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、 Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如：3DG18 表示NPN 型硅材料高频三极管 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2 三极或具有两个pn 结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn 结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA 注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA 注 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP 型高频管、B-PNP 型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN 型低频管、F-P 控制极可控硅、G-N 控制极可控硅、H-N 基极单结晶体管、J-P 沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA 登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。 第五部分： 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F 表示这一器件是原型号产品的改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下： 第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、 JANS-宇航级、（无）-非军用品。 第二部分：用数字表示pn 结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn 结器件、n-n 个pn 结器件。 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA） 注册登记。 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。 第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如： JAN2N3251A 表示PNP 硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA 登记顺序号、A-2N3251A 档。 四、 国际电子联合会半导体器件型号命名方法 国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下： www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、 C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。 除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下： 1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E 分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。 2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。 3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。 如：BDX51-表示NPN 硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP 锗高频小功率三极管。 五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲早期半导体分立器件型号命名法 欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。 第一部分：O-表示半导体器件 第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。 第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。 俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。 一、 半导体二极管参数符号及其意义 半导体二极管参数符号及其意义 CT---势垒电容 Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数；电容比 Q---优值（品质因素） δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150 度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。 在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I 称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） △VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF（AV）---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VRM---反向峰值电压（最高测试电压） V（BR）---击穿电压 Vth---阀电压（门限电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压 二、双极型晶体管参数符号及其意义 双极型晶体管参数符号及其意义 Ccb---集电极与基极间电容 Cce---发射极接地输出电容 Ci---输入电容 Cib---共基极输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cn---中和电容（外电路参数） Co---输出电容 Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coe---共发射极输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Cre---共发射极反馈电容 Cic---集电结势垒电容 CL---负载电容（外电路参数） Cp---并联电容（外电路参数） BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路，CE 结击穿电压 BVebo--- 集电极开路EB 结击穿电压 BVces---基极与发射极短路CE 结击穿电压 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE 结击穿电压 D---占空比 fT---特征频率 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1 时的工作频率 hFE---共发射极静态电流放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB 反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE 条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB 条件下，发射极与基极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE 为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE 条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE 下，集电极与发射极之间的反向截止电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ISB---二次击穿电流 IAGC---正向自动控制电流 Pc---集电极耗散功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pi---输入功率 Po---输出功率 Posc---振荡功率 Pn---噪声功率 Ptot---总耗散功率 ESB---二次击穿能量 rbb'---基区扩展电阻（基区本征电阻） rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 roe---发射极接地，在规定VCE、Ic 或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 RE---外接发射极电阻（外电路参数） RB---外接基极电阻（外电路参数） Rc ---外接集电极电阻（外电路参数） RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数） RL---负载电阻（外电路参数） www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com RG---信号源内阻 Rth---热阻 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Ts---结温 Tjm---最大允许结温 Tstg---贮存温度 td----延迟时间 tr---上升时间 ts---存贮时间 tf---下降时间 ton---开通时间 toff---关断时间 VCB---集电极-基极（直流）电压 VCE---集电极-发射极（直流）电压 VBE---基极发射极（直流）电压 VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 Vp---穿通电压。 VSB---二次击穿电压 VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数） Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数） VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数） VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB 条件下的集电极-发射极间饱和压降 VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB 条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VAGC---正向自动增益控制电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 V n---噪声电压 Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数 Cvn---标称电容 IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 ID---暗电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IEM---发射极峰值电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM---最大输出平均电流 IFMP---正向脉冲电流 IP---峰点电流 IV---谷点电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IDR---晶闸管断态平均重复电流 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com IRRM---反向重复峰值电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp---反向恢复电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk---稳压管膝点电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF---正向总瞬时电流 iR---反向总瞬时电流 ir---反向恢复电流 Iop---工作电流 Is---稳流二极管稳定电流 f---频率 n---电容变化指数；电容比 Q---优值（品质因素） δvz---稳压管电压漂移 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 PB---承受脉冲烧毁功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 Pd---耗散功率 PG---门极平均功率 PGM---门极峰值功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150 度所能承受的最大功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Pomax---最大输出功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。 在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I 称微分电阻 RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RE---射频电阻 RL---负载电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth----热阻 R(th)ja----结到环境的热阻 Rz(ru)---动态电阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r δ---衰减电阻 r(th)---瞬态电阻 Ta---环境温度 Tc---壳温 td---延迟时间 tf---下降时间 tfr---正向恢复时间 tg---电路换向关断时间 tgt---门极控制极开通时间 Tj---结温 Tjm---最高结温 ton---开通时间 toff---关断时间 tr---上升时间 trr---反向恢复时间 ts---存储时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 a---温度系数 λp---发光峰值波长 △ λ---光谱半宽度 η---单结晶体管分压比或效率 VB---反向峰值击穿电压 Vc---整流输入电压 VB2B1---基极间电压 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com VBE10---发射极与第一基极反向电压 VEB---饱和压降 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） △ VF---正向压降差 VDRM---断态重复峰值电压 VGT---门极触发电压 VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VF（AV）---正向平均电压 Vo---交流输入电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vn---中心电压 Vp---峰点电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VRM---反向峰值电压（最高测试电压） V（BR）---击穿电压 Vth---阀电压（门限电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 V v---谷点电压 Vz---稳定电压 △Vz---稳压范围电压增量 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 av---电压温度系数 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压 二、 场效应管参数符号意义 场效应管参数符号意义 Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流） IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流 IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流 Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数） gfs---正向跨导 Gp---功率增益 Gps---共源极中和高频功率增益 GpG---共栅极中和高频功率增益 GPD---共漏极中和高频功率增益 ggd---栅漏电导 gds---漏源电导 K---失调电压温度系数 Ku---传输系数 L---负载电感（外电路参数） LD---漏极电感 Ls---源极电感 rDS---漏源电阻 rDS(on)---漏源通态电阻 rDS(of)---漏源断态电阻 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com rGD---栅漏电阻 rGS---栅源电阻 Rg---栅极外接电阻（外电路参数） RL---负载电阻（外电路参数） R(th)jc---结壳热阻 R(th)ja---结环热阻 PD---漏极耗散功率 PDM---漏极最大允许耗散功率 PIN--输入功率 POUT---输出功率 PPK---脉冲功率峰值（外电路参数） to(on)---开通延迟时间 td(off)---关断延迟时间 ti---上升时间 ton---开通时间 toff---关断时间 tf---下降时间 trr---反向恢复时间 Tj---结温 Tjm---最大允许结温 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tstg---贮成温度 VDS---漏源电压（直流） VGS---栅源电压（直流） VGSF--正向栅源电压（直流） VGSR---反向栅源电压（直流） VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数） VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数） Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数） VGS(th)---开启电压或阀电压 V（BR）DSS---漏源击穿电压 V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压 VDS(on)---漏源通态电压 VDS(sat)---漏源饱和电压 VGD---栅漏电压（直流） Vsu---源衬底电压（直流） VDu---漏衬底电压（直流） VGu---栅衬底电压（直流） www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com Zo---驱动源内阻 η---漏极效率（射频功率管） Vn---噪声电压 aID---漏极电流温度系数 ards---漏源电阻温度系数 www.powersystems.eetchina.com 电子工程师必备基础知识手册(六)：继电器

继电器

一、 继电器的工作原理和特性

继电器是一种电子控制器件，它具有控制系统（又称输入回路）和被控制系统（又称输出回路），通常应用于自动控制电路中，它实际上是用较小的电流去控制较大电流的一种\"自动开关\"。故在电路中起着自动调节、安全保护、转换电路等作用。

1、电磁继电器的工作原理和特性

电磁式继电器一般由铁芯、线圈、衔铁、触点簧片等组成的。只要在线圈两端加上一定的电压，线圈中就会流过一定的电流，从而产生电磁效应，衔铁就会在电磁力吸引的作用下克服返回弹簧的拉力吸向铁芯，从而带动衔铁的动触点与静触点（常开触点）吸合。当线圈断电后，电磁的吸力也随之消失，衔铁就会在弹簧的反作用力返回原来的位置，使动触点与原来的静触点（常闭触点）吸合。这样吸合、释放，从而达到了在电路中的导通、切断的目的。

对于继电器的\"常开、常闭\"触点，可以这样来区分：继电器线圈未通电时处于断开状态的静触点，称为\"常开触点\"；处于接通状态的静触点称为\"常闭触点\"。 2、热敏干簧继电器的工作原理和特性

热敏干簧继电器是一种利用热敏磁性材料检测和控制温度的新型热敏开关。它由感温磁环、恒磁环、干簧管、导热安装片、塑料衬底及其他一些附件组成。热敏干簧继电器不用线圈励磁，而由恒磁环产生的磁力驱动开关动作。恒磁环能否向干簧管提供磁力是由感温磁环的温控特性决定的。 3、固态继电器（SSR）的工作原理和特性

固态继电器是一种两个接线端为输入端，另两个接线端为输出端的四端器件，中间采用隔离器件实现输入输出的电隔离。 固态继电器按负载电源类型可分为交流型和直流型。按开关型式可分为常开型和常闭型。按隔离型式可分为混合型、变压器隔离型和光电隔离型，以光电隔离型为最多。 二、继电器主要产品技术参数 1、额定工作电压

是指继电器正常工作时线圈所需要的电压。根据继电器的型号不同，可以是交流电压， 也可以是直流电压。 2、直流电阻

是指继电器中线圈的直流电阻，可以通过万能表测量。 3、吸合电流

是指继电器能够产生吸合动作的最小电流。在正常使用时，给定的电流必须略大于吸合电流，这样继电器才能稳定地工作。而对于线圈所加的工作电压，一般不要超过额定工作电压的1.5 倍，否则会产生较大的电流而把线圈烧毁。 4、释放电流

是指继电器产生释放动作的最大电流。当继电器吸合状态的电流减小到一定程度时，继电器就会恢复到未通电的释放状态。这时的电流远远小于吸合电流。 5、触点切换电压和电流

是指继电器允许加载的电压和电流。它决定了继电器能控制电压和电流的大小，使用时不能超过此值，否则很容易损坏继电器的触点。 三、继电器测试 1、测触点电阻

用万能表的电阻档，测量常闭触点与动点电阻，其阻值应为0；而常开触点与动点的阻值就为无穷大。由此可以区别出那个是常闭触点，那个是常开触点。 2、测线圈电阻

可用万能表R×10Ω 档测量继电器线圈的阻值，从而判断该线圈是否存在着开路现象。 3、测量吸合电压和吸合电流

找来可调稳压电源和电流表，给继电器输入一组电压，且在供电回路中串入电流表进行监测。慢慢调高电源电压，听到继电器吸合声时，记下该吸合电压和吸合电流。为求准确，可以试多几次而求平均值。 4、测量释放电压和释放电流

也是像上述那样连接测试，当继电器发生吸合后，再逐渐降低供电电压，当听到继电器再次发生释放声音时，记下此时的电压和电流，亦可尝试多几次而取得平均的释放电压和释放电流。一般情况下，继电器的释放电压约在吸合电压的10~50

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％，如果释放电压太小（小于1/10 的吸合电压），则不能正常使用了，这样会对电路的稳定性造成威胁，工作不可靠。 四、继电器的电符号和触点形式

继电器线圈在电路中用一个长方框符号表示，如果继电器有两个线圈，就画两个并列的长方框。同时在长方框内或长方框旁标上继电器的文字符号\"J\"。继电器的触点有两种表示方法：一种是把它们直接画在长方框一侧，这种表示法较为直观。另一种是按照电路连接的需要，把各个触点分别画到各自的控制电路中，通常在同一继电器的触点与线圈旁分别标注上相同的文字符号，并将触点组编上号码，以示区别。继电器的触点有三种基本形式：

1.动合型（H 型）线圈不通电时两触点是断开的，通电后，两个触点就闭合。以合字的拼音字头\"H\"表示。 2.动断型（D 型）线圈不通电时两触点是闭合的，通电后两个触点就断开。用断字的拼音字头\"D\"表示。

3.转换型（Z 型）这是触点组型。这种触点组共有三个触点，即中间是动触点，上下各一个静触点。线圈不通电时，动触点和其中一个静触点断开和另一个闭合，线圈通电后，动触点就移动，使原来断开的成闭合，原来闭合的成断开状态，达到转换的目的。这样的触点组称为转换触点。用\"转\"字的拼音字头\"z\"表示。 五、继电器的选用 1.先了解必要的条件

①控制电路的电源电压，能提供的最大电流； ②被控制电路中的电压和电流；

③被控电路需要几组、什么形式的触点。选用继电器时，一般控制电路的电源电压可作为选 用的依据。控制电路应能给继电器提供足够的工作电流，否则继电器吸合是不稳定的。

2.查阅有关资料确定使用条件后，可查找相关资料，找出需要的继电器的型号和规格号。若手头已有继电器，可依据资料核对是否可以利用。最后考虑尺寸是否合适。

3.注意器具的容积。若是用于一般用电器，除考虑机箱容积外，小型继电器主要考虑电路板安装布局。对于小型电器，如玩具、遥控装置则应选用超小型继电器产品。

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www.powersystems.eetchina.com 电子工程师必备基础知识手册（电子工程师必备基础知识手册（七）常用元器件的识别 常用元器件的识别 一、 电阻 电阻 电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R15 表示编号为15 的电阻。电阻在电路中的 主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。 参数识别：电阻的单位为欧姆（Ω），倍率单位有：千欧（KΩ），兆欧（MΩ）等。换算方法是：1 兆欧=1000 千欧=1000000 欧 电阻的参数标注方 法有3 种，即直标法、色标法和数标法。 数标法主要用于贴片等小体积的电路，如： 472 表示 47×102Ω（即4.7K）； 104 则表示100K 色环标注法使用最多，现举例如下： 四色环电阻 五色环电阻（精密电阻）电阻的色标位置和倍率关系如下表所示： 颜色 有效数字 倍率 允许偏差（%） 银色 / 10-2 ±10 金色 / 10-1 ±5 黑色 0 100 / 棕色 1 101 ±1 红色 2 102 ±2 橙色 3 103 / 黄色 4 104 / 绿色 5 105 ±0.5 蓝色 6 106 ±0.2 紫色 7 107 ±0.1 灰色 8 108 / 白色 9 109 +5 至 -20 无色 / / ±20 二、电容 电容 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C25 表示编号为25 的电容）。电容是 由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容 抗，它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com (f 表示交流信号的频率，C 表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和 涤纶电容等。 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和 数标法3 种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、 纳法（nF）、皮法（pF）。 其中：1 法拉=103 毫法=106 微法=109 纳法=1012 皮法容量大的电容其容量值在电 容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102 表示10×102PF=1000PF 224 表示22×104PF=0.22 uF 3、电容容量误差表 符 号FGJKLM 允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J 表示容量为0. 1 uF、误差为±5%。 4、故障特点 在实际维修中，电容器的故障主要表现为： （1）引脚腐蚀致断的开路故障。 （2）脱焊和虚焊的开路故障。 （3）漏液后造成容量小或开路故障。 （4）漏电、严重漏电和击穿故障。 二、 晶体二极管 晶体二极管 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5 表示编号为5 的二极管。 1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电 阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，无绳电 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。 电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。 2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N 极（负极），在二极管外 表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P 极（正极）或N 极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。 3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表 笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。 4、常用的1N4000 系列二极管耐压比较如下： 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压（V） 50 100 200 400 600 800 1000 电流（A） 均为1 三、 稳压二极管 稳压二极管 稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD5 表示编号为5 的稳压管。 1、稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路 中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 2、故障特点：稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，前一种故障表现出电源电压升高；后2 种故障表现为电源电压变低到零伏或输 出不稳定。 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表： 型号1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761 稳压值3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V6.2V15V27V30V75V 四、 电感 电感 电感在电路中常用“L”加数字表示，如：L6 表示编号为6 的电感。 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。 直流可通过线圈，直流电阻就是导线本身的电阻，压降很小；当交流信号通过线圈时，线圈两端将会产生自感电动势，自感电动势的方向与外加电压的方向相反，阻碍交流的 通过，所以电感的特性是通直流阻交流，频率越高，线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容组成振荡电路。 电感一般有直标法和色标法，色标法与电阻类似。如：棕、黑、金、金表示1uH（误 差5%）的电感。 电感的基本单位为：亨（H） 换算单位有：1H=103mH=106uH。 五、 变容二极管 变容二极管 变容二极管是根据普通二极管内部 “PN 结”的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上，实现低频信号调制到高频信号上，并发射出去。在工作状态，变容二极管调制电压一般加到负极上，使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。 变容二极管发生故障，主要表现为漏电或性能变差： （1）发生漏电现象时，高频调制电路将不工作或调制性能变差。 （2）变容性能变差时，高频调制电路的工作不稳定，使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时，就应该更换同型号的变容二极管。 六、 晶体三极管 晶体三极管 晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17 表示编号为17 的三极管。 1、特点：晶体三极管（简称三极管）是内部含有2 个PN 结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN 型和PNP 型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL 电路中的对管就是由PNP 型和NPN 型配对使用。 电话机中常用的PNP 型三极管有：A92、9015 等型号；NPN 型三极管有：A42、9014、9018、9013、9012 等型号。 2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用，在常见电路中有三种接法。为了便于比较，将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表，供大家参考。 名称共发射极电路共集电极电路（射极输出器）共基极电路 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 输入阻抗中（几百欧～几千欧）大（几十千欧以上）小（几欧～几十欧） 输出阻抗中（几千欧～几十千欧）小（几欧～几十欧）大（几十千欧～几百千欧） 电压放大倍数大小（小于1 并接近于1）大 电流放大倍数大（几十）大（几十）小（小于1 并接近于1） 功率放大倍数大（约30～40 分贝）小（约10 分贝）中（约15～20 分贝） 频率特性高频差好 续表 应用多级放大器中间级，低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源电路 3、在线工作测量 在实际维修中，三极管都已经安装在线路板上，要每只拆下来测量实在是一件麻烦事，并且很容易损坏电路板，根据实际维修，本人总结出一种在电路上带电测量三极管工作 状态来判断故障所在的方法，供大家参考： 类别故障发生部位测试要点 e-b 极开路Ved>1vVed=V+ e-b 极短路Veb=0vVcd=0v Vbd 升高 Re 开路Ved=0v Rb2 开路Vbd=Ved=V+ Rb2 短路Ved 约为0.7V Rb1 增值很多，开路Vec<0.5vVcd 升高 e-c 极间开路Veb=0.7v Vec=0vVcd 升高 b-c 极间开路Veb=0.7vVed=0v b-c 极间短路Vbc=0vVcd 很低 Rc 开路Vbc=0vVcd 升高Vbd 不变 Rb2 阻值增大很多Ved 约为V+Vcd 约为0V Ved 电压不稳三极管和周围元件有虚焊 类别故障发生部位测试要点 Rb1 开路Vbe=0Vcd=V+ Ved=0 Rb1 短路Vbe 约为1vVed=V-Vbe Rb2 短路Vbd=0v Vbe=0vVcd=V+ Re 开路Vbd 升高Vce=0v Vbe=0v Re 短路Vbd=0.7vVbe=0.7v Rc 开路Vce=0vVbe=0.7v Ved 约为0v c-e 极短路Vce=0v Vbe=0.7vVed 升高 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com b-e 极开路Vbe>1v Ved=0vVcd=V+ b-e 极短路Vce 约为V+ Vbe=0vVcd 约为0v c-b 极开路Vce=V+ Vbe=0.7vVed=0v c-b 极短路Vcb=0v Vbe=0.7vVcd=0v 八、场效应晶体管放大器 场效应晶体管放大器 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。 2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1 是两种型号的表示符号： 3、场效应管与晶体管的比较 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体 管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 电子工程师必备基础知识手册（电子工程师必备基础知识手册（八）功率晶体管 功率晶体管 稳压二极管 稳压二极管 稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是：此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。其伏安特性见图1,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。 稳压管的应用:稳压管的应用: 1、浪涌保护电路 稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为或保护之元件来使用,因为各种电压的稳压二极管都可以得到,故对于这种应用特别适宜.图中的稳压二极管D 是作为过压保护器件。只要电源电压VS 超过二极管的稳压值D 就导通,使继电器J 吸合负载RL 就与电源分开。 2、电视机里的过压保护电路 EC 是电视机主供电压,当EC 电压过高时,D 导通,三极管BG 导通,其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平,通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态。 3、电弧抑制电路 在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话,当线圈在导通状态切断时,由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收,所以当开关断开时,开关的电弧也就被消除了。这个应用电路在工业上用得比较多,如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到它。 4、串联型稳压电路 在此电路中,串联稳压管BG 的基极被稳压二极管D 钳定在13V,那么其发射极就输出恒定的12V 电压了。这个电路在很多场合下都有应用。 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 晶体管射随电路 晶体管射随电路 在很多的电子电路中,为了减少后级电路对前级电路的影响和有些前级电路的输出要求有较强的带负载能力(即要求输出阻抗较低)时,要用到缓冲电路,从而达到增强电路的带负载能力和前后级阻抗匹配,晶体管射随器就是一种达到上述功能的缓冲电路。 晶体管射随电路实际上是晶体管共发电路,它是晶体三极管三大电路形式之一(共基电路、共集电路、共发电路),它的电路基本形式如图A1 所示。 根据图A1 的等效电路可知,发射极电流Ie=Ib+Ic 又因为Ic=β*Ib(β 是晶体管的直流放大系数)所以Ie=Ib+β*Ib=Ib(1+β),又根据电路回路电压定律:Vi=Ib(Rb+Rbe )+Ie*Re=Ib(Rb+Rbe)+Ib(1+β)Re(Rb 是晶体管基极电阻,Rbe 是基极与发射极之间的电阻,由于Rb 和Rbe 较少可忽略,那么Vi= Ib(1+β)Re,根据欧姆定律,电路的输入阻抗为Vi/Ib=Ib(1+β)Re/Ib=Re(1+β)。从此式可见电路的输入阻抗是Re 的1+β 倍，电路的输出阻抗等于Rc 与Re 的并阻抗.经上述分析得出结论：晶体管射随电路具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。 晶体管电子滤波器 晶体管电子滤波器 在很多电子电路中,特别是一些小信号放大电路,其电源往往会加入一级晶体管电子滤波器,其电路结构如图J1,设图的右边是一个与电子滤波效果一样的普通RC 滤波电路,则它们有以下关系： 图的左边 Uec=Ib*R1+Ueb=Ib*R1 因为Iec=β*Ib (β 为晶体管的直流放大系数) 所以有Uec=(Iec/β)*R1 图的右边Uec=Rec*Iec 由于左右图互相等效所以有 Rec*Iec=(Iec/β)*R1 得Rec=R1/β 两滤波器的滤波性能一般用R 与C 的乘积来衡量,所以有: R1*C1=Rec*C1'=(R1/β)*C1' C1=C1'/β 由上式可知,电子滤波器所需的电容C1 比一般RC 滤波器所需电容少β 倍.打个比方设晶体管的直流放大系数β=100,如果用一般RC 滤波器所需电容容量为1000μF,如采用电子滤波器那么电容只需要10μF 就满足要求了。 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 场效应管 场效应管 现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗, 较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图C-a。 场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N 结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N 变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道\"夹断\C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo 表示,它与栅极电压Vgs 和漏源电压Vds 之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs 的绝对值. 在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS 场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态. 绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管, 在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当Vgs=0 时Id(漏极电流)=0,只有当Vgs 增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs 为开启电压. 耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻). 结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型 栅场效应管代替。 可控硅二极管 可控硅二极管 可控硅在自动控制，机电领域，工业电气及家电等方面都有广泛的应用。可控硅是一种有源开关元件，平时它保持在非道通状态，直到由一个较少的控制信号对其触发或称“点火”使其道通， 一旦被点火就算撤离触发信号它也保持道通状态，要使其截止可在其阳极与阴极间加上反向电压或将流过可控硅二极管的电流减少到某一个值以下。 可控硅二极管可用两个不同极性（P-N-P 和N-P-N）晶体管来模拟，如图G1 所示。当可控硅的栅极悬空时，BG1 和BG2 都处于截止状态，此时电路基本上没有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2 道通，使BG1 的基极电位下降，BG1 因此开始道通，BG1 的道通使得BG2 的基极电位进一步升高，BG1 的基极电位进一步下降，经过这一个正反馈过程使BG1 和BG2 进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态，这时栅极就算没有触发脉冲电路由于正反馈的作用将保持道通状态不变。如果 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 此时在阳极和阴极加上反向电压，由于BG1和BG2 均处于反向偏置状态所以电路很快截止，另外如果加大负载电阻RL 的阻值使电路电流减少BG1 和BG2 的基电流也将减少，当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路将很快从道通状态翻转为截止状态，我们称这个电流为维持电流。在实际应用中，我们可通过一个开关来短路可控硅的阳极和阴极从而达到可控硅的关断。 应用举例 应用举例 可控硅在实际应用中电路花样最多的是其栅极触发回路，概括起来有直流触发电路，交流触发电路，相位触发电路等等。 1、直流触发电路：如图G2 是一个电视机常用的过压保护电路，当E+电压过高时A 点电压也变高，当它高于稳压管DZ 的稳压值时DZ 道通，可控硅D 受触发而道通将E+短路，使保险丝RJ 熔断，从而起到过压保护的作用。 2、相位触发电路：相位触发电路实际上是交流触发电路的一种，如图G3，这个电路的方法是利用RC 回路控制触发信号的相位。当R 值较少时，RC 时间常数较少，触发信号的相移A1 较少，因此负载获得较大的电功率；当R 值较大时，RC 时间常数较大，触发信号的相移A2 较大， 因此负载获得较少的电功率。这个典型的电功率无级调整电路在日常生活中有很多电气产品中都应用它。 什么叫压缩倍频程 什么叫压缩倍频程 视频信号的频率范围为50HZ--6.5MHZ,共有18 个倍频程(50*2*2*2......),按照磁带的重放特性,每提高一个倍频程信号电平上升6DB,那么视频信号的动态范围就是6*18=108DB,这远远超出磁带的动态范围.为此要记录视频信号就要压缩倍频程,在录象机中是采用将视频亮度信号进行调频记录方式,通过控制调制指数使FM 的频偏在1.1MHZ--7.8MHZ 内,这样使倍频程减少到少于3, 因而适应磁带记录动态范围的要求。 电路的响应 电路的响应 电路的工作状态有两种：一种是稳定状态、一种是暂时状态或叫暂态。在具有电容、电感的电路中，当电路的工作条件发生变化时，由于储能元件储能的变化，电路将从原来的稳定状态经历一定时间变换到新的稳定状态，这一变换过程称为过渡过程，电路的过渡过程通常是很短的， 所以又称暂态过程。 根据电路的激励（电路中发生电流、电压的起因）通过对电路的暂态分析来得到电路的响应（受激励的作用在电路中所引起的电流与电压称为响应），由于激励和响应都是时间的函数，所以这种分析有叫时域分析。 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 微分电路 微分电路 电路结构如图W-1，微分电路可把矩形波转换为尖脉冲波，此电路的输出波形只反映输入波形的突变部分，即只有输入波形发生突变的瞬间才有输出。而对恒定部分则没有输出。输出的尖脉冲波形的宽度与R*C 有关（即电路的时间常数），R*C 越小，尖脉冲波形越尖，反之则宽。此电路的R*C 必须远远少于输入波形的宽度，否则就失去了波形变换的作用，变为一般的RC 耦合电路了，一般R*C 少于或等于输入波形宽度的1/10 就可以了。 积分电路 积分电路 电路结构如图J-1，积分电路可将矩形脉冲波转换为锯齿波或三角波，还可将锯齿波转换为抛物波。电路原理很简单，都是基于电容的冲放电原理，这里就不详细说了，这里要提的是电路的时间常数R*C，构成积分电路的条件是电路的时间常数必须要大于或等于10 倍于输入波形的宽度。 限幅电路 限幅电路 图X 是一个限幅电路，在输入端没信号输入时由于二极管D 反向连接，所以输出电压为零。 当有脉冲信号输入时，如果这个脉冲的幅度足以电压源E 时，D 就导通，这样电路将输出脉冲的最大值在E+0.6 上（0.6 是D 的正向导通压降），也即E+0.6 是此限幅器的门限电压。 www.powersystems.eetchina.com 电子工程师必备基础知识手册(九)：电声器件

电声器件

电声器件是指电和声相互转换的器件，它是利用电磁感应、静电感应或压电效应等来完成电声转换的，包括扬声器，耳机，传声器，唱头等。 一、 型号命名方法

型号命名的组成项目和排列次序

扬声器：主称-分类-幅射形式-形状-功率-序号 传声器：主称-分类-等级-序号 送、受话器：主称-分类-序号-阻抗 话筒、耳机：主称-序号-阻抗 组合件：主称-序号-组合形式

主称中名称与代表符号对应关系：扬声器-Y、扬声器组-YZ、传诗歌吧、传声器-C、传声器组-CZ、送话器-O、受话器-S、话筒-H、耳机-E、耳机话筒组-EH。

分类中名称与代表符号对应关系：电磁式-C、电动、动圈式-D、压电式-Y、静电、电容式-R、碳粒式-T、铝带式-A、接触式-J、压差式-C、压强式-不表示。

辐射形式、形状、用途中名称与代表符号对应关系：号筒式-H、椭圆式-T、圆形-不表示、耳塞式-S、飞机用通话帽-F、坦克用通话帽-T、舰艇用通话帽-J、一般工作用通话帽-G。 二、 扬声器分类

扬声器是把音频电流转换成声音的电声器件，扬声器俗称喇叭，种类很多。

按能量方式分类：电动（动圈）扬声器、电磁扬声器、静电（电容）扬声器、压电（晶体）扬声器、放电（离子）扬声器。

按辐射方式分类：纸盆（直接辐射式）扬声器、号筒（间接辐射式）扬声器。 按振膜形式分类：纸盆扬声器、球顶形扬声器、带式扬声器、平板驱动式扬声器。

按组成方式分类：单纸盆扬声器、组合纸盆扬声器、组合号筒扬声器、同轴复合扬声器。

按 用 途 分 类：高保真（家庭用）扬声器、监听扬声器、扩音用扬声器、乐器用扬声器、接收机用小型扬声器、水中用扬声器。

按 外 型 分 类：圆形扬声器、椭圆形扬声器、圆筒形扬声器、矩形扬声器。 三、扬声器主要特性参数 1、标称功率

标称功率又称额定功率或不失真功率，它是非线性失真不超过标准规范条件（一般不超过7-10%）下的最大输入功率。扬声器在这一正常功率下长期工作不应损坏。 2、标称阻抗

制造厂产品标准所规定的阻抗值，在该阻抗上扬声器可获得最大功率。 3、共振频率

扬声器的输入阻抗是随频率而变化的，扬声器在低频单某一频率处，输入阻抗追最大，这一频率称为共振频率fo,共振频率与扬声器的振动系统有关，振动系统质量越大，纸盆折环、定心支片愈柔软，其共振频率就愈低。

4、灵敏度

当输入扬声器的功率为1W 时，在轴线上一米处测出的平均声压。 5、指向性

扬声器在不同方向上声辐射本领是不同的，表示这种性能的指标叫辐射指向性，指向性与频率有关，扬声器的辐射指向性随频率升高而增强，一般在250-300Hz 以下，没有明显的指向性。

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www.powersystems.eetchina.com 电子工程师必备基础知识手册（电子工程师必备基础知识手册（十）电子基本概念 电子基本概念 电子基本概念 电子基本概念 一、电荷：物质是由分子组成，而分子是由原子组成 ，每个原子又是由一个带正电的电荷原子核及一定数量的带负电的电子所组成，这些带电的粒子就叫电荷。 二、电源：是指由非电能转换成电能的装置,即把其他形式的能转换成电能的装置叫做 电源电源。发电机能把机械能转换成电能，干电池能把化学能转换成电能。发电机、干电池等叫做电源。通过变压器和整流器，把交流电变成直流电的装置叫做整流电源。能提供信号的电子设备叫做信号源。晶体三极管能把前面送来的信号加以放大，又把放大了的信号传送到后面的电路中去。晶体三极管对后面的电路来说，也可以看做是信号源。整流电源、信号源有时也叫做电源。 三、电动势：电源内部推动电荷移动的作用力称为电源力，而电源力将单位正电荷从电 电动势源负极经电源内部移动到正极所做的功，叫做电源的电动势。电动势是反映电源把其他形式的能转换成电能的本领的物理量。电动势使电源两端产生电压。在电路中，电动势常用δ表示。电动势的单位和电压的单位相同，也是伏，但其方向与电压的方向相反，是由电源的负极指向正极的，即由低电位指向高电位。电源的电动势可以用电压表测量。测量的时候，电源不要接到电路中去，用电压表测量电源两端的电压，所得的电压值就可以看作等于电源的电动势。如果电源接在电路中，用电压表测得的电源两端的电压就会小于电源的电动势。 这是因为电源有内电阻。在闭合的电路中，电流通过内电阻r 有内电压降，通过外电阻R 有外电压降。电源的电动势δ 等于内电压Ur 和外电压UR 之和，即δ=Ur+UR 。严格来说， 即使电源不接入电路，用电压表测量电源两端电压，电压表成了外电路，测得的电压也小于电动势。但是，由于电压表的内电阻很大，电源的内电阻很小，内电压可以忽略。因此，电压表测得的电源两端的电压是可以看作等于电源电动势的。干电池用旧了，用电压表测量电池两端的电压，有时候依然比较高，但是接入电路后却不能使负载（收音机、录音机等）正常工作。这种情况是因为电池的内电阻变大了，甚至比负载的电阻还大，但是依然比电压表的内电阻小。用电压表测量电池两端电压的时候，电池内电阻分得的内电压还不大，所以电压表测得的电压依然比较高。但是电池接入电路后，电池内电阻分得的内电压增大，负载电阻分得的电压就减小，因此不能使负载正常工作。为了判断旧电池能不能用，应该在有负载的时候测量电池两端的电压。有些性能较差的稳压电源，有负载和没有负载两种情况下测得的电源两端的电压相差较大，也是因为电源的内电阻较大造成的。 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 四、电压：是指电场或电路中两点之间的电位差，电压是衡量电场做功能力大小的物理 电压量。用字母U 表示。其单位是伏（V），也常用毫伏（mV）、微伏（uV）做单位。1V=1000mV， 1mV=1000uV。电压可以用电压表测量。测量的时候，把电压表并联在电路上，要选择电 压表指针接近满偏转的量程。如果电路上的电压大小估计不出来，要先用大的量程，粗略测量后再用合适的量程。这样可以防止由于电压过大而损坏电压表。 五、电流：电荷有规则的定向运动叫电流。产生电流必须具备两个条件--1、导体内要 电流有可以移动的自由电荷；2、导体内要维持一个电场。电流又分为直流和交流两种--电流的大小和方向都不随时间变化的叫做直流；电流的大小和方向随时间变化的叫做交流。电流的单位是安（A），也常用毫安（mA）、微安(uA)做单位。1A=1000mA,1mA=1000uA。电流可以用电流表测量。测量的时候，把电流表串联在电路中，要选择电流表指针接近满偏转的量程。这样可以防止电流过大而损坏电流表。 六、电阻：在电路中能对电流起阻碍作用并且造成能量消耗的导体叫做电阻。导体的电 电阻阻由导体的材料、横截面积和长度决定。常用R 表示，其单位是欧姆（Ω），也常用千欧（kΩ） 或者兆欧（MΩ）做单位。电阻可以用万用表欧姆档测量。测量的时候，要选择电表指针接近偏转一半的欧姆档。如果电阻在电路中，要把电阻的一头烫开后再测量。 七、电容：电容器是储存电荷的容器，它由两个金属极板中间填充介质所组成。电容量 电容则是衡量电容器储存电荷能力大小的物理量。在两个相互绝缘的导体上，加上一定的电压，它们就会储存一定的电量。其中一个导体储存着正电荷，另一个导体储存着大小相等的负电荷。加上的电压越大，储存的电量就越多。储存的电量和加上的电压是成正比的，它们的比值叫做电容。如果电压用U 表示，电量用Q 表示，电容用C 表示，那么可由公式C=Q/U 表示。即在单位电压作用下，电容器每个极板所储存的电荷量称为电容器的电容量。电容的单位是法（F），也常用微法（uF）或者微微法（pF）作单位。1F=106uF，1F=1012pF。 电容可以用电容测试仪测量，也可以用万用电表欧姆档粗略估测。欧姆表红、黑两表笔分别碰接电容的两脚，欧姆表内的电池就会给电容充电，指针偏转，充电完了，指针回零。调换红、黑两表笔，电容放电后又会反向充电。电容越大，指针偏转也越大。对比被测电容和已知电容的偏转情况，就可以粗略估计被测电容的量值。在一般的电子电路中，除了调谐回路等需要容量较准确的电容以外，用得最多的隔直、旁路电容、滤波电容等，都不需要容量准确的电容。因此，用欧姆档粗略估测电容量值是有实际意义的。但是，普通万用电表欧姆档只能估测量值较大的电容，量值较小的电容就要用中值电阻很大的晶体管万用电表欧姆档来估测，小于几十个微微法的电容就只好用电容测试仪测量了。 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 八、电感：电感是衡量线圈产生电磁感应能力的物理量。给一个线圈通入电流，线圈周 电感围就会产生磁场，线圈就有磁通量通过。通入线圈的电源越大，磁场就越强，通过线圈的磁通量就越大。实验证明，通过线圈的磁通量和通入的电流是成正比的，它们的比值叫做自感系数，也叫做电感。如果通过线圈的磁通量用φ 表示，电流用I 表示，电感用L 表示，那么L=φ/I。电感的单位是亨（H），也常用毫亨（mH）或微亨（uH）做单位。1H=1000mH，1H=1000000uH。 九、电路：电流所通过的路径称为电路。其最基本的电路由电源、负载和导线、开关等 电路元件组成。电路的工作状态可分为三种--1、通路状态，即电路中构成闭合回路，电流能顺利地流过；2、开路状态，回路中某处被切断了，此时相应电路中没有电流通过；3、短路状态，电路中某一部分连接起来，使电源两端直接相通。此时电源负载为零，会出现很大的短路电流，极易烧毁电源。 十、负载：通常把电能转换成其他形式能量的装置叫做负载。如电动机能把电能转换成 负载机械能，电阻能把电能转换成热能，电灯泡能把电能转换成热能和光能，扬声器能把电能转换成声能。电动机、电阻、电灯泡、扬声器等都叫做负载。晶体三极管对于前面的信号源来说，也可以看作是负载。 十一、T 表示。周期 十一、周期：交流电完成一次完整的变化所需要的时间叫做周期，常用周期的单位是秒（s）,也常用毫秒（ms）或微秒（us）做单位。1s=1000ms，1s=1000000us。 十二、1s 内完成周期性变化的次数叫做频率，常用f 表示。频率的单 十二、频率：交流电在频率位是赫（Hz），也常用千赫（kHz）或兆赫（MHz）做单位。1kHz=1000Hz，1MHz=1000000Hz。 交流电频率f 是周期T 的倒数，即f=1/T。 十三、十三、容抗：交流电是能够通过电容的，但是电容对交流电仍然有阻碍作用。电容对交 容抗流电的阻碍作用叫做容抗。电容量大，交流电容易通过电容，说明电容量大，电容的阻碍作用小；交流电的频率高，交流电也容易通过电容，说明频率高，电容的阻碍作用也小。实验证明，容抗和电容成反比，和频率也成反比。如果容抗用XC 表示，电容用C 表示，频率用f 表示，那么Xc=1/2πfc 容抗的单位是欧。知道了交流电的频率f 和电容C，就可以用上式把容抗计算出来。 十四、I 和导体两端的电压U 成正比，和导体的电阻R 成反 十四、欧姆定律：导体中的电流欧姆定律比，即I=U/R 这个规律叫做欧姆定律。如果知道电压、电流、电阻三个量中的两个，就可以根据欧姆定律求出第三个量，即I=U/R、R=U/I、U=RI。在交流电路中，欧姆定律同样成立，但电阻R 应该改成阻抗Z，即I=U/Z。 十五、十五、感抗：交流电也可以通过线圈，但是线圈的电感对交流电有阻碍作用，这个阻碍 感抗 www.powersystems.eetchina.com www.powersystems.eetchina.com 叫做感抗。电感量大，交流电难以通过线圈，说明电感量大，电感的阻碍作用大；交流电的频率高，交流电也难以通过线圈，说明频率高，电感的阻碍作用也大。实验证明，感抗和电感成正比，和频率也成正比。如果感抗用XL 表示，电感用L 表示，频率用f 表示，那么XL=2πfL 感抗的单位是欧。知道了交流电的频率f 和线圈的电感L，就可以用上式把感抗计算出来。 十六、十六、阻抗：具有电阻、电感和电容的电路里，对交流电所起的阻碍作用叫做阻抗。阻 阻抗抗常用Z 表示。阻抗由电阻、感抗和容抗三者组成，但不是三者简单相加。如果三者是串联的，又知道交流电的频率f、电阻R、电感L 和电容C，那么串联电路的阻抗阻抗的单位是欧。对于一个具体电路，阻抗不是不变的，而是随着频率变化而变化。在电阻、电感和电容串联电路中，电路的阻抗一般来说比电阻大。也就是阻抗减小到最小值。在电感和电容并联电路中，谐振的时候阻抗增加到最大值，这和串联电路相反。 十七、十七、相位：相位是反映交流电任何时刻的状态的物理量。交流电的大小和方向是随时 相位间变化的。比如正弦交流电流，它的公式是i=Isin2πft。i 是交流电流的瞬时值，I 是交流电流的最大值，f 是交流电的频率，t 是时间。随着时间的推移，交流电流可以从零变到最大值，从最大值变到零，又从零变到负的最大值，从负的最大值变到零。在三角函数中2πft 相当于角度，它反映了交流电任何时刻所处的状态，是在增大还是在减小，是正的还是负的等等。因此把2πft 叫做相位，或者叫做相。如果t 等于零的时候，i 并不等于零，公式应该改成i=Isin(2πft+ψ)。那么2πft+ψ 叫做相位，ψ 叫做初相位，或者叫做初相。 十八、十八、相位差：两个频率相同的交流电相位的差叫做相位差，或者叫做相差。这两个频 相位差率相同的交流电，可以是两个交流电流，可以是两个交流电压，可以是两个交流电动势，也可以是这三种量中的任何两个。例如研究加在电路上的交流电压和通过这个电路的交流电流的相位差。如果电路是纯电阻，那么交流电压和电流电流的相位差等于零。也就是说交流电压等于零的时候，交流电流也等于零，交流电压变到最大值的时候，交流电流也变到最大值。 这种情况叫做同相位，或者叫做同相。如果电路含有电感和电容，交流电压和交流电流的相位差一般是不等于零的，也就是说一般是不同相的，或者电压超前于电流，或者电流超前于电压。加在晶体管放大器基极上的交流电压和从集电极输出的交流电压，这两者的相位差正好等于180°。这种情况叫做反相位，或者叫做反相。 www.powersystems.eetchina.com