一种电子束熔炼制备钨电极材料的方法[发明专利]

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专利名称：一种电子束熔炼制备钨电极材料的方法专利类型：发明专利

发明人：谭毅,姜大川,石爽,廖娇,石小磊申请号：CN201210576775.4申请日：20121227公开号：CN103045924A公开日：20130417

摘要：本发明属于冶金熔炼技术领域，特别涉及一种熔炼制备钨电极材料的方法。该方法首先采用热压成型方式对钨粉进行处理得到钨块；然后采用电子束真空高温熔炼钨块，凝固冷却后得到钨锭；最后将钨锭在真空下进行热处理，得到钨电极材料。本发明的显著效果是利用电子束提供极高密度的能量熔化并熔炼钨材料，电子束真空熔炼后得到的钨电极材料致密度较高，通过分析显微硬度的变化，可判定经电子束熔炼加工的钨电极材料其硬度较大，而经过热处理改善了钨材料的综合性能，降低了显微硬度，提高了塑性，改善了切削加工性能和压力加工性能，细化了晶粒，调整了组织，改善了综合机械性能，满足了钨电极材料的使用要求。

申请人：大连理工大学

地址：116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

国籍：CN

代理机构：大连星海专利事务所

代理人：徐淑东

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