半导体器件以及在FO-WLCSP中形成双侧互连结构的方法

（12）发明专利说明

（21）申请号 CN201310170374.3 （22）申请日 2013.05.10 （71）申请人 新科金朋有限公司

地址 新加坡新加坡市

（10）申请公布号 CN103681362B

（43）申请公布日 2018.12.14

书

（72）发明人 林耀剑;陈康

（74）专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公司

代理人 张懿

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

半导体器件以及在FO-WLCSP中形成双侧互连结构的方法

（57）摘要

本发明的名称为半导体器件以及在

FO‑WLCSP中形成双侧互连结构的方法。一种半导体器件具有衬底，所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层。多个引线柱或柱形凸起被形成在所述衬底上。半导体小片被安装到所述引线柱之间的所述衬底上。第一密封剂被沉积在所述半导体小片周围。第一互连结构被形成在所述半导体小片和第一密封剂上。第二密封剂被沉积在所述衬底、半导体

小片和第一互连结构上。所述第二密封剂能够被形成在所述半导体小片的一部分和所述衬底的侧表面上。所述第二密封剂的一部分被去除以暴露所述衬底和第一互连结构。第二互连结构被形成在所述第二密封剂和第一互连结构上并且与所述引线柱电耦合。分立半导体器件能够被形成在所述互连结构上。

法律状态

法律状态公告日2014-03-26 2014-03-26 2015-07-29 2015-07-29 2018-12-14

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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