专利名称：一种去除工业硅中硼磷杂质的方法专利类型：发明专利
发明人：罗学涛,余德钦,林彦旭,方明,卢成浩,李锦堂申请号：CN201210078794.4申请日：20120322公开号：CN102616787A公开日：20120801
摘要：一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种工业硅的提纯方法。1)将渣料2预熔，渣料2为CaO-CaSi；2)将渣料1压成渣球，将部分渣料1和工业硅放进坩埚，抽真空，开启中频感应电源加热使物料熔化，渣料1为SiO-NaCO-CaF；3)升高中频感应电源的功率至80～100kW，当温度在1300～1500℃时，将部分渣料2加入到坩埚中，通气搅拌，继续升高中频感应电源的功率至100～120kW，当温度在1600～1800℃时，将部分渣料1加入到坩埚中，再通气搅拌，降低功率到80kW，待温度下降；4)重复步骤3)；5)造渣后将硅液倒入承接坩埚，静置冷却后取出硅锭，物理破碎得到提纯的多晶硅锭。
申请人：厦门大学
地址：361005 福建省厦门市思明南路422号
国籍：CN
代理机构：厦门南强之路专利事务所
代理人：马应森
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容