一种亚微米栅长GaN HEMT器件及其制备方法[发明专利]

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专利名称：一种亚微米栅长GaN HEMT器件及其制备方法专利类型：发明专利发明人：裴轶,张乃千,邓光敏申请号：CN201410486993.8申请日：20140922公开号：CN104393037A公开日：20150304

摘要：一种亚微米栅长GaN HEMT器件及其制备方法，该制备方法是通过光学光刻和选择性刻蚀确定栅长，然后采用氟基等离子体和氯基等离子体多次选择性刻蚀得到深亚微米栅足。本发明同时公开了利用上述方法制备得到的器件结构，包括半导体层以及位于半导体层上的栅极、源极和漏极。所述栅极包括栅帽和栅足；所述栅足由多层金属组成，其中以靠近所述半导体层为下方向，该多层金属中每一层的厚度由上往下递减。本发明的制备方法具有工艺简单、成本低、效率高的优点，同时可避免氯基等离子体刻蚀铝镓氮引入刻蚀损伤，导致电流崩塌和二维电子气浓度降低等问题。

申请人：苏州能讯高能半导体有限公司

地址：215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

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