非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器[发明专利]

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专利名称：非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器专利类型：发明专利

发明人：郑俊守,孙雨舟,王祥忠申请号：CN201610272268.X申请日：20160428公开号：CN107332105A公开日：20171107

摘要：本申请揭示了一种非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器，所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的长度相同、光栅周期相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1，第一光栅和第二光栅的刻蚀深度不同。本申请基于非对称结构相移光栅的DFB半导体激光器，在相移结构两侧的光栅长度、光栅周期不变、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1的条件下，通过对相移结构两侧光栅刻蚀深度的控制，实现两侧相移光栅耦合系数的不对称，DFB半导体激光器能够实现输出光功率的不对称，增大了激光器的有效输出光功率。

申请人：苏州旭创科技有限公司

地址：215123 江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园12-A3

国籍：CN

代理机构：苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：杨林洁

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