专利名称：层间绝缘膜的干式蚀刻方法专利类型：发明专利发明人：森川泰宏,邹红红申请号：CN2007800198.6申请日：20070516公开号：CN1014878A公开日：20090610
摘要：本发明涉及层间绝缘膜的干式蚀刻方法，其通过蚀刻气体，一边在设在层间绝缘膜上的ArF抗蚀剂或KrF抗蚀剂上形成聚合物膜，一边对层间绝缘膜进行微细加工，其特征在于，在0.5Pa以下的压力下导入上述蚀刻气体，一边形成聚合物膜，一边进行蚀刻；所述聚合物膜的采用傅立叶变换红外分光光度计测定的光谱中，在1200cm附近有C－F键的峰、在1600cm附近有C－N键的峰和在3300cm附近有C－H键的峰。
申请人：株式会社爱发科
地址：日本神奈川
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：陈昕
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