专利名称：单片双轴桥式磁场传感器专利类型：发明专利
发明人：詹姆斯·G·迪克,金英西,沈卫锋,雷啸锋,薛松生申请号：CN201110315913.9申请日：20111018公开号：CN102435963A公开日：20120502
摘要：本发明公开了一种单片双轴桥式磁场传感器，该双轴桥式磁场传感器采用隧道结磁电阻元件在同一半导体基片上制备两种全桥磁场传感器以感应正交磁场分量。该传感器通过设置传感元件的形状和永磁偏置场以感应正交磁场分量。正交桥式传感器的偏置永磁体和参考层在在同一个磁场方向下初始化，不需要特殊的工艺，局部加热或在不同的工序中沉积其他磁性材料以实现双轴磁场传感器。
申请人：江苏科技有限公司
地址：215600 江苏省苏州市张家港市保税区广东路8号
国籍：CN
代理机构：苏州创元专利商标事务所有限公司
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