专利名称：一种功率半导体器件冷却装置专利类型：发明专利
发明人：杨玉春,谷孝娟,王国强申请号：CN2013102731.7申请日：20130702公开号：CN103426841A公开日：20131204
摘要：一种功率半导体器件冷却装置，具有上表面安装功率半导体器件、下表面设有开口、侧壁为环状的安装器和紧密安装于所述安装器开口下的冷却介质容器以及安装于所述安装器上面和下面的安装O型圈，所述冷却介质容器至少一个侧面上设有冷却介质流通口，所述冷却介质容器上表面至少设有一个开口。本发明的优点是：能均匀散热并提高热交换效率，防止芯片温升过大和芯片温度变化率过大而损坏，低成本。
申请人：北京睿德昂林新能源技术有限公司
地址：100068 北京市丰台区马家堡东路122-1
国籍：CN
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