专利名称:等离子体处理装置及等离子体处理方法专利类型:发明专利
发明人:置田尚吾,水野文二,奥村智洋申请号:CN2015106887.9申请日:20150831公开号:CN105390361A公开日:20160309
摘要:一种等离子体处理装置及等离子体处理方法,提高等离子体处理的工艺稳定性,对具备框架和保持片的传送载体所保持的基板实施等离子体处理,具备:腔体,具有减压的处理室;工艺气体供给部,向处理室供给工艺气体;减压机构,对处理室减压;等离子体激发装置,使处理室内产生等离子体;台,载置传送载体并设置于腔体内;冷却机构,冷却台;罩体,覆盖保持片的一部分和框架的至少一部分,具有使基板露出到等离子体的窗部;移动装置,使罩体相对于框架的相对位置移动,罩体具备:顶盖部,与载置于台上的框架相对;筒状周侧部,从顶盖部的周边缘向台侧延伸;矫正部件,从顶盖部和/或周侧部相对于载置于台上的框架突出,使框架推压台来矫正框架的歪斜。
申请人:松下知识产权经营株式会社
地址:日本大阪
国籍:JP
代理机构:中原信达知识产权代理有限责任公司
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