专利名称：基板处理方法和基板处理装置专利类型：发明专利发明人：宇贺神肇,户泽茂树申请号：CN201180037820.2申请日：20110802公开号：CN103081071A公开日：20130501
摘要：本发明利用化学去除处理来有效地去除Si系膜。一种用于将收纳于处理室（21）内的基板（W）表面的Si系膜去除的基板处理方法，该基板处理方法进行以下工序：第1工序，其中，在处理室（21）内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基板（W）表面的Si系膜变质为反应生成物；以及第2工序，其中，在与第1工序相比减压后的处理室（21）内使反应生成物气化，第1工序和第2工序反复进行两次以上。通过将第1工序和第2工序反复进行两次以上，从而使Si系膜的去除率变高并提高生产率。
申请人：东京毅力科创株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
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