专利名称：横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构专利类型：发明专利
发明人：刘龙平,令海阳,陈爱军申请号：CN200910199442.2申请日：20091126公开号：CN101707209A公开日：20100512
摘要：本发明提出一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管(LDNMOS)结构，包括自下而上分布的基底层、氧化层和多晶硅层，多晶硅层作为LDNMOS的栅极。两个N型漂移区，分别位于基底层内的氧化层的两侧，以做为LDNMOS的源极和漏极。P型漂移区，在基底层内环设在LDNMOS的栅极、源极和漏极外，以作为LDNMOS的基电极。其中，环形P型漂移区在源极和漏极之间向氧化层的另外两侧延伸至距离氧化层的边缘0～0.2μm处。本发明提出的LDNMOS结构能够使LDNMOS的栅氧化层GOX中较薄的部分受到环形P型漂移区中P型离子的补偿，保持器件的阈值电压Vt恒定，从而限制LDNMOS的双峰效应。
申请人：上海宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：郑玮
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