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湿化学-表面沉积法制备硅基薄膜锂离子电池钴酸锂正极的方法[发明专利]

来源：筏尚旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：湿化学-表面沉积法制备硅基薄膜锂离子电池钴酸

锂正极的方法

专利类型：发明专利

发明人：赵桂英,周婷,林莹,曾宝枝,戴颖,林应斌,黄志高申请号：CN201110094781.1申请日：20110415公开号：CN102185133A公开日：20110914

摘要：本发明涉及湿化学-表面沉积法在钴酸锂正极表面沉积硅基薄膜的方法。分别将锂前驱物、钴前驱物溶于蒸馏水中得A溶液和B溶液；将摩尔数等于锂的摩尔数与钴的摩尔数总和的柠檬酸溶于蒸馏水中得C溶液；将A溶液和B溶液滴入C溶液中并滴加乙二醇得混合D溶液;D溶液水浴中搅拌形成凝胶，经干燥得干凝胶；干凝胶研磨，烧结得到钴酸锂；称量聚偏氟乙烯溶于N-甲基吡咯烷酮溶液中，加入导电炭黑，搅拌后加入钴酸锂，将浆料涂布于铝箔上得到钴酸锂正极片；将钴酸锂正极片置于沉积腔中硅基源的正上方或周围。采用本发明所述的方法，电池的充放电性能显著提高，改善效果不受钴酸锂制备的具体工艺影响，其应用性非常显著。

申请人：福建师范大学

地址：350007 福建省福州市仓山区上山路福建师范大学科技处

国籍：CN

代理机构：福州元创专利商标代理有限公司

代理人：蔡学俊

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