专利名称:制造包括衬底和沉积在衬底的一个表面上的层的结
构的方法
专利类型:发明专利发明人:H·阿比尔,R·朗热申请号:CN200880108693.9申请日:20080923公开号:CN101809710A公开日:20100818
摘要:本发明涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构(1)的方法,所述结构(1)包括衬底(10)和通过将材料沉积在所述衬底(10)的一个表面上而形成的层(20),其特征在于该方法包括以下步骤:形成包括脆化区的脆化衬底,该脆化区一方面限定了所述衬底(10),另一方面限定了剩余物;在所述脆化衬底的两个表面的每一个上沉积所述材料的层(20,21);所述脆化衬底从而形成所述结构(1),其中衬底(10)的一表面(IB)被沉积的材料层(20)覆盖,而其另一表面(IA)暴露。
申请人:S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
地址:法国贝尔尼
国籍:FR
代理机构:北京戈程知识产权代理有限公司
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