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制造包括衬底和沉积在衬底的一个表面上的层的结构的方法[发明专利]

来源：筏尚旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：制造包括衬底和沉积在衬底的一个表面上的层的结

构的方法

专利类型：发明专利发明人：H·阿比尔,R·朗热申请号：CN200880108693.9申请日：20080923公开号：CN101809710A公开日：20100818

摘要：本发明涉及一种制造用于电子学、光学、光电子学或光伏学的结构(1)的方法，所述结构(1)包括衬底(10)和通过将材料沉积在所述衬底(10)的一个表面上而形成的层(20)，其特征在于该方法包括以下步骤：形成包括脆化区的脆化衬底，该脆化区一方面限定了所述衬底(10)，另一方面限定了剩余物；在所述脆化衬底的两个表面的每一个上沉积所述材料的层(20，21)；所述脆化衬底从而形成所述结构(1)，其中衬底(10)的一表面(IB)被沉积的材料层(20)覆盖，而其另一表面(IA)暴露。

申请人：S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司

地址：法国贝尔尼

国籍：FR

代理机构：北京戈程知识产权代理有限公司

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