电阻式随机存取存储器及其制造方法[发明专利]

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专利名称：电阻式随机存取存储器及其制造方法专利类型：发明专利发明人：陈启明,林胜结申请号：CN201510081118.6申请日：20150215公开号：CN105990393A公开日：20161005

摘要：本发明公开一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器包括电阻式随机存取存储单元串。电阻式随机存取存储单元串包括基底、第一导电型导体层与多个堆叠结构。第一导电型导体层设置于基底上。堆叠结构分离设置于第一导电型导体层上。各个堆叠结构包括第二导电型沉积层、电阻式随机存取存储单元与第一导线。第二导电型沉积层设置于第一导电型导体层上。电阻式随机存取存储单元设置于第二导电型沉积层上。第一导线设置于电阻式随机存取存储单元上。

申请人：力晶科技股份有限公司

地址：中国新竹科学工业园区

国籍：TW

代理机构：北京市柳沈律师事务所

代理人：陈小雯

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