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DBR的制备方法及GaAs基VCSEL

来源：筏尚旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201910471486.X （22）申请日 2019.05.31

（71）申请人度亘激光技术(苏州)有限公司

地址 215125 江苏省苏州市工业园金鸡湖大道99号西北区20幢215、217室

（10）申请公布号 CN110190512A

（43）申请公布日 2019.08.30

（72）发明人赵勇明;杨国文;张艳春;赵卫东

（74）专利代理机构北京三聚阳光知识产权代理有限公司

代理人张琳琳

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（）发明名称

DBR的制备方法及GaAs基VCSEL

（57）摘要

本发明涉及半导体激光器技术领域，具体

公开一种DBR的制备方法及GaAs基VCSEL，其中分布布拉格反射镜的制备方法包括：提供GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层；其中，所述第一与第二折射率层的晶格常数与GaAs衬底相同。本发明通过调整折射率层的材质使得两折射率层与衬底的晶格常数相同位于衬底的晶格常数，使得其内部无应力产生，实现无应变分布布拉格反射镜的生长，避

免出现晶片翘曲的问题。

法律状态

法律状态公告日

2019-08-30 2019-08-30 2019-09-24

公开公开

实质审查的生效

法律状态信息

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权利要求说明书

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说明书

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