SRAM

（12）发明专利说明书

（21）申请号 CN201310240295.5 （22）申请日 2013.06.09

（71）申请人 辛纳普蒂克斯日本合同会社

地址 日本东京都中野区中野四丁目10番2号

（10）申请公布号 CN1034867B

（43）申请公布日 2017.12.05

（72）发明人 佐藤一彦;藤井康博

（74）专利代理机构 中国专利代理()有限公司

代理人 秦琳

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

SRAM

（57）摘要

本发明提供一种SRAM，其根据允许网

孔的布局规则，在下部具有钛膜或钽膜的金属布线上配置具有钨插塞的过孔，在所述SRAM的存储单元中，可以得知存在导致成品率降低的情况。发现其原因为，在产生网孔的情况下，在用于过孔的埋入的钨CVD时，作为其反应气体的六氟化钨使金属布线的下部钛膜或钽膜消失，使金属布线与下层过孔的接触断开或高电阻化。本发明抑制由这样的缺陷原因导致的成品率的降低。在最下层包含钛膜或钽膜的金属布线的端部以与具有

钨插塞的上层过孔的一条边之间不足对准精度的宽裕度(余量)相邻地配置的情况下，尽可能地使下层过孔远离所述金属布线的端部而配置。 法律状态

法律状态公告日

2014-01-01 2014-01-01 2015-01-07 2015-01-07 2015-06-17 2015-06-17 2015-06-17 2015-06-17 2016-10-12 2016-10-12 2017-12-05

法律状态信息

公开 公开 著录事项变更 著录事项变更 实质审查的生效 著录事项变更 实质审查的生效 著录事项变更 著录事项变更 著录事项变更 授权

法律状态

公开 公开

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说明书

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