专利名称:一种制备纳米多孔铜的方法专利类型:发明专利
发明人:秦春玲,赵维民,王志峰,刘丽,肖同娜申请号:CN201310276223.6申请日:20130703公开号:CN103343253A公开日:20131009
摘要:本发明一种制备纳米多孔铜的方法,涉及有纳米级孔隙的金属的制造,步骤是:依据目标合金Cu-Zr(-Al)中各元素原子百分数at.%计算所需原料的质量,称取铜片、锆粒和铝块,混合得到母合金原料,然后将该母合金原料置于真空电弧炉中熔炼,制得Cu-Zr(-Al)合金铸锭,然后采用熔炼-甩带设备制备Cu-Zr(-Al)非晶合金条带,再一步去合金化制得纳米多孔金属铜条带,将其清洁后保存在真空度为1×10MPa的真空室内,以避免其被氧化,备用,克服了现有技术制备工艺复杂,成本高,不利于产业化规模生产的缺点。
申请人:河北工业大学
地址:300401 天津市北辰区西平道5340号河北工业大学
国籍:CN
代理机构:天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人:胡安朋
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