专利名称：一种VDMOS及其制造方法专利类型：发明专利发明人：三重野文健,季明华申请号：CN200910045704.X申请日：20090123公开号：CN1017376A公开日：20100728
摘要：一种VDMOS及其制造方法，其中VDMOS包括，位于半导体衬底中的基底层与掺杂层，位于掺杂层上的栅极区；所述基底层包括位于栅极区两侧的漏极区；所述掺杂层包括位于漏极区上并贯穿掺杂层的导电插塞、位于栅极区两侧的隔离阱、位于隔离阱内的源极区。本发明不需要采用造价高昂的掩埋漏极区和外延层技术，降低了制造成本。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李丽
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