20XX年复习资料
大 学 复 习 资 料
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《材料科学基础》试卷20XXXX
一. 选择题:(共15小题,每小题2分,共30分)。
1. 在下列材料中,哪一类材料结晶时,液-固界面为粗糙界面?( )
A. 金属材料 B. 无机材料 C. 高分子材料 D. 半导体材料 2. 在三元系中有右图的两种三相平衡区,它们的反应类型分别为( )。 A. (a)是包晶型,(b)是共晶型 B. (a)是共晶型,(b)是包晶型 C. (a)、(b)均为包晶型 D. (a)、(b)均为共晶型
3. 高分子材料随温度的变化,通常有玻璃态、高弹态和粘流态三个物理状态。则橡胶的工作状态是( )。 A. 玻璃态 B. 高弹态 C. 粘流态 D. 高弹态 、粘流态和玻璃态 4. 4p原子轨道径向分布图中峰数为多少?其钻穿能力比4d( )? A. 3,强 B. 2,强 C. 3,弱 D. 2,弱 5. 在硅酸盐玻璃中减少变性体的量,会使( )。
A. 桥氧含量下降,粘度增大 B. 桥氧含量增多,粘度减小 C. 桥氧含量下降,粘度减小 D. 桥氧含量增多,粘度增大
6. 在晶体中形成空位时,离位原子迁移到晶体表面,这样的缺陷称为( )。 A. 面缺陷 B. 线缺陷 C. 肖脱基缺陷 D. 弗兰克尔缺陷 7. 在由扩散控制的反应扩散,相宽度变化关系式为LBjt;由相界面反
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应速度控制时,新相厚度与时间呈线性关系dKdt。在实际反应扩散
Ci过程中,反应扩散后期受( )控制。 A. 界面反应速度 B. 扩散 C. 界面反应速度和扩散 D. 无法确定
8. 关于刃型位错应力场,下列说法哪种是不正确的?( )
A. 各种应力分量的大小与r成反比 B. 应力场对称于多余的半原子面
C. 滑移面上只有正应力,无切应力 D. 应力场是轴对称的 9. 下列说法正确的是( )。
A. 点缺陷是热力学不稳定缺陷 B. 两位错交割必形成割阶 C. 线缺陷是热力学不稳定缺陷 D. 空位形成能大于间隙形成能 20XXXX. 面心立方的配位数,四面体空隙数及晶胞原子数分别为( )。
A. 8,3n,2 B. 20XXXX,2n,6 C. 8,6n,2 D. 20XXXX,2n,4
20XXXX. 柏氏矢量是反映位错线周围的畸变大小,因此柏氏矢量的大小( )。
A. 与回路大小有关 B. 与回路起点选择有关
C. 与回路大小、起点选择无关 D. 与回路大小和起点选择都有关 20XXXX. 若在合金中加入能减小界面能的溶质,则晶界处溶质的浓度( )。
A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 无法判断
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20XXXX. 下列大角度晶界能量最低的是( )。
A. ∑5 B. ∑7 C. ∑20XXXX D. 孪晶界 20XXXX. 在三元系相图中,四相平衡区与三相平衡区相连的是( )。
A. 点 B. 线 C. 面 D. 无法确定 20XXXX. 在一元相图中,增加压力可扩大下列哪个相在相图上稳定存在的区域?( )
A. 摩尔体积小的相 B. 摩尔体积大的相 C. 无影响 D. 无法判断
二. 填空题(共7小题,每空1分,共20分)
1. 吴氏网可用于作晶面的 ;求两晶面
的 。
2. 结晶聚合物的形态,因结晶条件而异,常压下由聚合物溶液或熔体中结晶可得到 ;在切应力作用下结晶可得到 ;在极稀的溶液中缓慢结晶可得到 。
3. 热力学伪共晶的形成条件有固溶度相差不大、E在中
间、 、 、
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。
4. 在一定的外力作用下,位错会发生运动。刃型位错可发生
和 ,而螺型位错只能发生 。
5. 在纯金属均匀形核结晶过程中,形成临界晶核时, 是相变的阻力,临界形核功△Gc由(Vc·△GV)补偿了 ,而剩余的由过冷液体内的 供给;结构起伏最大尺寸ra rc时,能形成稳定晶核并长大。
6. 界面凹侧的化学位总是较高,使原子移向凸侧,使 移向凹侧,也就是说,曲率诱致晶界移动总是使晶界向着晶界的 移动,这种晶界移动的结果使小晶粒变得更 ,而大晶粒变得更 。
7. 对于聚合物,当温度低于Tg时,只是链节运动;当温度高于Tg时, 开始运动;当温度高于Tf或Tm时,整个分子链开始运动。 三. 简答题:(共5小题,每小题6分,共30分) 1. 试述表面物理吸附和化学吸附的异同。
2. 下图为A-B-C三元共晶投影图,请写出图中Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ六
种合金室温下的组织。
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α
β
γ
3. 据下图分析在G1、G2、G3三种温度梯度的条件下合金结晶的生长情况。
4. 在C0成分单相合金的棒料中存在成分不均匀,请指出为使之均匀化和提纯金属所采用的方法和措施。
5. 影响晶态固体扩散系数的因数有哪些?并说明如何影响。 四. 计算题(8分)
已知室温下Mo为BCC堆积,其相对原子质量为95.94,原子半径为0.20XXXX63nm,求Mo金属的理论密度。
五. 综合题(12分)
下图为Pb-Sn共晶相图,请画出合金Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ的冷却曲线及结晶过程,并计算合金Ⅲ室温组织组成物和相组成物的含量。
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