一种在金属催化剂表面制备薄层石墨烯的方法[发明专利]

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专利名称：一种在金属催化剂表面制备薄层石墨烯的方法专利类型：发明专利

发明人：刘立伟,龚佑品,张学敏,高嵩,朱超,龙明生,耿秀梅申请号：CN201210262333.2申请日：20120727公开号：CN103572247A公开日：20140212

摘要：本发明公开了一种在金属催化剂表面制备薄层石墨烯的方法，该方法包含以下步骤：第一步，首先将金属催化剂基体放入化学气相沉积（CVD）系统内，在H和Ar气混合气氛中进行加热和退火；第二步，利用不同碳源进行高温渗碳反应；第三步，对样品进行缓慢加热，这其中通大流量的氢气进行刻蚀。第四步，在氢气刻蚀之后再用氩气将CVD系统中的氢气排尽，并将其迅速冷却至室温，偏析出均匀的石墨烯层。进一步的，通过改变金属催化剂基体的厚度、渗碳量、氢气刻蚀量，可以精确控制石墨烯的层数。本发明工艺简单易操作，且和半导体工业兼容，能够实现石墨烯的可控制备，且生产的石墨烯材料在电子、光电、传感等领域具有重要应用前景。

申请人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

地址：215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高校区若水路398号

国籍：CN

代理机构：北京华夏博通专利事务所(普通合伙)

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