专利名称：用于沉积作为铁电材料的硅掺杂氧化铪的新制剂专利类型：发明专利
发明人：雷新建,M·R·麦克唐纳,金武性,李世远申请号：CN201880028468.8申请日：20180314公开号：CN110573651A公开日：20191213
摘要：在一个方面，本发明是包含有机氨基铪和有机氨基硅烷前体两者的制剂，其允许将含硅片段和含铪片段两者锚定到具有羟基的给定表面上以沉积适合作为铁电材料的具有0.5‑8摩尔％，优选2‑6摩尔％，最优选3‑5摩尔％范围的硅掺杂水平的硅掺杂氧化铪。在另一方面，本发明是使用所述制剂沉积硅掺杂氧化铪膜的方法和系统。
申请人：弗萨姆材料美国有限责任公司
地址：美国亚利桑那州
国籍：US
代理机构：北京市金杜律师事务所
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