一种LDMOS器件结构及其制作方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种LDMOS器件结构及其制作方法专利类型：发明专利

发明人：李科,万宁,丛密芳,任建伟,李永强,黄苒,苏畅,李浩,杜

寰

申请号：CN2018107910.2申请日：20180718公开号：CN109119472A公开日：20190101

摘要：一种LDMOS器件结构，包括：第一导电类型的衬底，形成在衬底上的第一导电类型的外延层；形成在外延层中的第二导电类型的漂移区；第一导电类型的阱区，自外延层的表面延伸到衬底中；第一导电类型的沟道区，形成在漂移区中并位于漂移区与阱区之间；第二导电类型的源区，位于阱区和沟道区中；以及第二导电类型的漏区，位于漂移区中，位于沟道区上方的栅极，其间形成有栅极绝缘层；其中，自外延层的靠近表面处还形成有沟槽，沟槽部分地覆盖漂移区及沟道区，沟槽填充有氧化物构成的沟槽填充区域。本发明还公开一种制作该LDMOS器件结构的方法。

申请人：北京顿思集成电路设计有限责任公司

地址：100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2193号

国籍：CN

代理机构：北京正理专利代理有限公司

代理人：付生辉

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