专利名称:一种纳米多孔铜-硅负极片及其制备方法专利类型:发明专利
发明人:赵伟,李素丽,唐伟超,徐延铭,李俊义申请号:CN201810886567.1申请日:20180806公开号:CN1091481A公开日:20190104
摘要:一种纳米多孔铜‑硅负极片及其制备方法,该纳米多孔铜‑硅负极片包括:集流体基体,所述集流体基体上具有若干纳米微孔,所述纳米微孔内沉积有硅。制备时,将铜合金箔进行预处理,去除铜合金箔中的非铜成分,得到具有若干纳米微孔的纳米多孔铜集流体;将纳米微孔铜集流体以化学气相沉积的方法进行硅沉积,得到纳米多孔铜‑硅负极片。本发明方法的纳米多孔铜‑硅负极片,可以提升电池的能量密度得到了提升,而且提高了循环性能,充电前后负极片的厚度膨胀也得到了改善。
申请人:珠海光宇电池有限公司
地址:519180 广东省珠海市斗门区新青科技工业园珠峰大道九号
国籍:CN
代理机构:广东朗乾律师事务所
代理人:杨焕军
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