一种纳米多孔铜-硅负极片及其制备方法[发明专利]

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专利名称：一种纳米多孔铜-硅负极片及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：赵伟,李素丽,唐伟超,徐延铭,李俊义申请号：CN201810886567.1申请日：20180806公开号：CN1091481A公开日：20190104

摘要：一种纳米多孔铜‑硅负极片及其制备方法，该纳米多孔铜‑硅负极片包括：集流体基体，所述集流体基体上具有若干纳米微孔，所述纳米微孔内沉积有硅。制备时，将铜合金箔进行预处理，去除铜合金箔中的非铜成分，得到具有若干纳米微孔的纳米多孔铜集流体；将纳米微孔铜集流体以化学气相沉积的方法进行硅沉积，得到纳米多孔铜‑硅负极片。本发明方法的纳米多孔铜‑硅负极片，可以提升电池的能量密度得到了提升，而且提高了循环性能，充电前后负极片的厚度膨胀也得到了改善。

申请人：珠海光宇电池有限公司

地址：519180 广东省珠海市斗门区新青科技工业园珠峰大道九号

国籍：CN

代理机构：广东朗乾律师事务所

代理人：杨焕军

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