专利名称:MEMS谐振器专利类型:实用新型专利发明人:何昭文
申请号:CN201420148846.5申请日:20140328公开号:CN204216861U公开日:20150318
摘要:本实用新型提供了一种MEMS谐振器,所述MEMS谐振器包括:锚部;围绕所述锚部,并且与所述锚部连接的质量块,所述质量块中开设有多个孔径;及围绕所述质量块,并且与所述质量块具有一定间隙的电极。在本实用新型提供的MEMS谐振器中,所述MEMS谐振器的频率可由质量块中开设的多个孔径予以改变。由此当需要不同频率的MEMS谐振器时,只需选取不同数量/大小的孔径即可,即通过改变MEMS谐振器的设计结构即可实现。相对于现有技术中,要得到不同频率的MEMS谐振器需要对MEMS谐振器的制造工艺做出改变而言,通过本实用新型的MEMS谐振器更加易于得到不同的频率。
申请人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
地址:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号
国籍:CN
代理机构:上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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