专利名称：一种PN结栅控氧化镓场效应晶体管及制备方法专利类型：发明专利
发明人：周弘,雷维娜,周昕,张进成,郝跃申请号：CN202011070642.0申请日：20201007公开号：CN112164724A公开日：20210101
摘要：本发明公开了一种PN结栅控氧化镓场效应晶体管及其制备方法，主要解决目前氧化镓材料有效p型掺杂及氧化镓基器件的双极结构缺失问题。其自下而上包括:绝缘衬底、n型β‑GaO薄膜层，n型β‑GaO薄膜层上的两端设有源电极和漏电极，中间区域设有栅电极，在栅电极分别与源电极和漏电极之间的n型β‑GaO薄膜层之上，及源电极和漏电极的内表面设有AlO保护层，该n型β‑GaO薄膜层与栅电极之间设有p型NiO薄膜层，其与n型β‑GaO薄膜构成p‑n结。本发明减小了器件的导通电阻及栅泄漏电流，提高了器件的耐压能力，降低了器件的静态损耗，可用于制备常关型的高耐压氧化镓器件。
申请人：西安电子科技大学
地址：710071 陕西省西安市太白南路2号
国籍：CN
代理机构：陕西电子工业专利中心
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