专利名称:存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法专利类型:发明专利
发明人:黄正乙,杨家奇,黄正太申请号:CN201410369927.2申请日:20140730公开号:CN105336375A公开日:20160217
摘要:一种存储器及编程、无冗余和冗余读取、操作方法,所述存储器包括:呈M行N列排布的存储单元和至少一个第一MOS管,M≥1,N≥2,N为偶数,所述存储单元包括:第二MOS管和熔丝;在同一个存储单元中,第二MOS管的第一端连接熔丝的第一端;位于同一列存储单元中的熔丝的第二端连接在一起;第n个第一MOS管的第一端连接位于第2n-1个存储单元中的熔丝的第一端,所述第n个第一MOS管的第二端连接位于第2n个存储单元中的熔丝的第一端,n≥1。
申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址:201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍:CN
代理机构:北京集佳知识产权代理有限公司
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