专利名称：半导体器件及制造方法专利类型：发明专利发明人：肖胜安
申请号：CN201310571346.2申请日：20131113公开号：CN104637994A公开日：20150520
摘要：本发明公开了一种半导体器件，器件的漂移区中包括一掺杂浓度为缓慢增加的缓变漂移区，缓变漂移区位于漂移区的背面且具有大于等于1微米宽度的缓慢上升区域，缓变漂移区能够对漂移区的电场进行阻断且能保持较低的导通电阻，同时缓变漂移区较长宽度的设置以及缓慢增加能消除现有场阻断型半导体器件中存在的场阻断层中的内建电场较大的缺陷，从而能使器件在关断时的电流下降速度得到有效控制，能提高器件的可靠性。本发明通过在缓变漂移区的背面设置场阻断层，能降低器件终端区的空穴发射效率，减少器件接界区的电流密度，从而能提高器件的可靠性。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。
申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：丁纪铁
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