特点：
高速率 低暗电流
平面正照结构,进口芯片
应用：
测距
物理化学过程的快速光信号探测
用于主波取录、YAG 光脉冲测量及光纤通信的光探测
光电特性(T = 22℃)：
参 数 光谱响应范围（nm） 光敏面直径(um) 响应度（A/W） 工作电压（V） 击穿电压（V） 暗电流（nA） 总电容（pF） 响应时间（ns）
符号 λ Re vR vBR ID Cj tr
典型值 400~1100 Φ230 Φ500
60 120 140 5 0.8 0.7
测试条件
900nm f=1MHz, Ir=10uA,
f=1MHz
note:图片仅供参考,尺寸以实物为准, 我公司（深圳市飞博源光电）热忱为您提供,具体性能指标见每支器件参数
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