（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010015322.9 （22）申请日 2020.01.07
（71）申请人 深圳第三代半导体研究院
地址 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1088号台州楼
（10）申请公布号 CN111009464A
（43）申请公布日 2020.04.14
（72）发明人 吴苏州;高莹;李晓云;叶怀宇;张国旗 （74）专利代理机构 北京中知法苑知识产权代理有限公司
代理人 阎冬
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种SiC功率器件芯片栅氧化层的制造方法及功率器件
（57）摘要
本发明公开了一种SiC功率器件芯片栅氧
化层的制造方法及功率器件，其中SiC功率器件芯片栅氧化层的制造方法通过多次注入可以精确控制引入元素数量，既保证消除缺陷的效果，又不会引入过多的P/B元素导致栅极可靠性下降。多次注入优化元素分布保证了P注入层在热氧化过程中全部消耗。通过热氧化前光刻定义注入区，在SIC表面形成P/B注入区，使P和N元素共同形成界面陷阱，降低界面态，该方法不需要
使用NO气氛退火就引入了两种元素，复合降低界面态，提升了栅极可靠性，降低了器件制造成本。
法律状态
法律状态公告日
2020-04-14 2020-04-14 2020-05-08
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
法律状态
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权利要求说明书
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说明书
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