《电子技术基础》试卷（A）
一、
填空题：30分
A、截止 B、饱和导通
C、击穿 2V
4、 变压器次方电压为U2，经桥式整流后，负载RL上的输出电压平均值UL为
1、 二极管的整流作用，是利用二极管的 _______ 性。
2、 半导体中除了自由电子作为载流子之外， 还有另一种被称为 _______ 的载流
A、0.45 U2
B、0.9 U2
C、U2
-I
子，两者同时参加导电，这是半导体的重要特点。
5、右图中，设V为理想二极管, R
3K
3、 硅二极管的死区电压为 ______ 电电压为 _________ 。
4、 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是利用 __________ 的微小变化控制 __________________________________________________ 的较大变化。 5、 测得放大电路中正常放大的某三极管，三个管脚 X、丫、Z的对地电位分别 是7V、3V、2.3V，则管脚丫是 ___________ 。
6、 晶体三极管放大电路中，当输入信号电流一定时，静态作用点设置过高（即 IBQ过大）将导致放大器产生 _______ 真。
7、 放大器的放大能力用对数表示时称为 _______ ，某放大器的功率放大倍数为 100 倍，贝U GP= ______ cB.
8三端集成稳压器CW7815接成稳压电路可稳压输出 ________ 电压。 9、 二进制数（1010）2转换为十进制数等于 ______ 。
10、 逻辑运算的三种基本形式是 _______ 辑、 _________ 辑、 _________ 辑。 二、
选择题：（在题后的括号内填上正确的答案）（30分）
1、 简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起，能否形成PN结。（
）A、能 B、不能 C、不一定
2、 为使晶体管处于放大工作状态，应加的电压是（ ）
A、 发射结应加正向电压，集电结应加正向电压 B、 发射结应加正向电压，集电结应加反向电压 C、 发射结应加反向电压，集电结应加反向电压 3、 稳压二极管的正常工作状态是（ ）
（即导通时电压降为零）
---- GA
------ 15V
GB^^ 12V ,
j B
RL
7、晶体三极管饱和时（ )
A、 I B、 IB> I BS CVCE=VG 则输出电压=0
V、
AB为（）
6V
A、3V2.1 V B、12V C、15V
8以下处于
O
饱和状态的晶体管是（
4V
2.zy
0V
O
D
3V
9、处在放大状态的晶体三极管，电位最低的是（ A、PNP型管的C极
B、PNP型管的E极
）
C、NPN型管的C极
10 、当变压器次方感应电压 V2相同时，以下三种电路中，整流二极管所承受 的最大反向电压VRM=2...2
V2的是（）
A 、半波整流 B、全波整流 C、桥式整流
三、判断题（对的打“/ ，错的打“ X”
）（10分）
1 、二极管仅能通过直流，不能通过交流（ ） 2
、 在半导体内，只有空穴是载流子。（） 3 、 由NPN三极管组成的放大电路 VC>VB>VEO（）
4 、 晶体管的B
值与IC无关（） 5、 整流就是将交流电流变成单方
向的电流（ ）
四、综合题： 1 、试分析以下简单稳压电路，当输入电压 VI增大时电路的稳压过程。（5分）
^
—*L —1
t
oJRL T
2、画出以下放大电路的交流通路和直流通路（10分）
+Gcc
Rc
C2
Rb
+ /
C1
V
+
RL
Vo
1 _____________ tO 1 - 3、放大电路如图，设三极管为硅材料管, B =50, VBE=0.7V,求该放大器的静
态工作点 IBQ、ICQ、VCEQ。（15 分）
+Gc (+12 V)
5K
50K Rb1
1 1 + 5
Vo
Re
Rb2
2.7 I^^Ce
20K
O
《电子技术基础》试卷（B）
一、 填空题：22分 1晶体二极管具有 __________ 特性，其符号是 _________ 。
2、 半导体按导电类型可分为 ________ 型半导体和 _________ 型半导体。 3、 晶体三极管各极电流的关系式是 _________ 。
4、 晶体三极管的三个电极分别是基极（B）、 ________ 、 ________ 。 5、 晶体三极管的三种不同工作状态是 ________ 、 ________ 、 ________ 。
6、 利用二极管单向导电性组成的整流电路，常见的 有 ________ 、 _______ 、 ________ 。
7、 三端集成稳压器 W7812在输入+18V电压的情况下，可输出 ________ V的正电压。
&带有放大环节的串联型稳压电源一般由 ___________ 、 ________ 、 ________ 、 _______ 四个部分组成。
9、 （5）10=（ ____ ）2，（110）2=（ __ ）io
10、 常用的逻辑门电路有 _______ 、 ________ 和 ________ 。 二、 选择题：（将正确答案的序号填入题后的括号内）（40分） 1、 P型半导体中（
）
A、空穴很多，电子很少 B、电子很多，空穴很少
C、空穴，电子一样多
2、 晶体二极管的正极电位-5V，负极电位是-3V，则该二极管处于（ ）
A、零偏置
B、正偏
C、反偏
3、 晶体三极管，集电结反偏，发射结正偏，则三极管的工作状态是（ ）
A、放大状态
B、饱和状态
C、截止状态
4
、基极放大器的电压放大倍数r，当输入电压为10V时，测得输出电
压为500mV，则电压放大倍数是（ ）
A、 10
B、 50
C、 500
5、晶体管放大设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管始终工作 在（） A、饱和区
B、放大区
C、截止区
&某放大器的电压放大倍数为1000倍，则其电压增益为（ ）
6、下列三个滤波电路中，滤波性能最好的是（
）
RL
A B
C
7、逻辑非门有（ ）
A、一个输入端
B、二个输入端
C、三个输入端
3
A、60dB B、30dB C、10 dB 9、凡在数值上或时间上不连续变化的
信号，例如只有高低电平的矩形脉冲信 号，称为（）
A、直流信号 B、模拟信号 C、数字信号 10、整流的目的是（ ）
A、将交流电变成直流电 B、将正弦波变成方波
C、将高频信号变成低频信号
三、判断题（对的打“/，错的打“X”）（10分）
1、 半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为本征半导体（
）
2、 在外电场作用下，半导体中间同时出现电子电流和空穴电流，其中一部分
为多数载流子，另一部分即为少数载流子（
）
3、
对于NPN三极管，VVCEQ （设 VBEQ=0） 10 分
C>VB>VE，则三极管处于截止状态（ ）
IBQ ICQ 4、 晶体三极管具有电流放大特性（
）
5、
放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响（ ）
四、综合题：
1已知某三极管的IBI=10U A时，lci=0.8mA，当 应=40卩A时，lc2=2.4mA, 求该三极管的B值为多少？ 8分
3、如图所示，Rb=200KQ, RC=1 KQ，GC=12V，三极管的B =100,求静态工 作点
2、如图为桥式整流滤波电路，要求将整流二极管及电路补画完整。
10分
《电子技术基础》试卷（A）答案卷
VE=VBQ — VBEQ=3.4— 0.7=2.7(V) u逬=：7=1(mA)
一、 填空题：30分
1、单向导电性 2、空穴 3、0.5V 0.6~0.7V 4、基极电路IB 集电极电流IC 5、基
6、饱和
7、增益 40
8、+15
9、10
10、与、或、非
二、 选择题：（在题后的括号内填上正确的答案）（30分）
1 、B 2、B 3、C 4、B 5、C 6、B 7、B
8、B
9 、A 10、B
三、判断题（对的打“v，错的打“）（10分）
1、x 2、x
3、V 4、x 5、V
四、综合题:
1、
V」—
Vo
VR!
2、直流通路
交流通路
I
I CQ
BQ=- =0.02(mA)
VCEQ=GC — I cQ(Rc+Re)=12 -1 X(5+2.7)=4.3(V)
《电子技术基础》试卷（B）答案卷
3
、解：*帘=嚇啦叭
一、 填空题：30分
l CQ= 3l BQ=100 ^60 ^(A=6mA
2、N P
3、IE=IB+IC
V CEQ=V G-I CRC=12- (6X1) =6V
5、截止、放大、饱和
桥式整流电路
1、单向导电性一4
4、发射极（E） 集电极（C） 6、 半波整流电路，全波整流电路 7、 12 9、101
6
8取样电路 基准电路 比较放大 调节元件
10、与门、或门、非门
二、 选择题：（30分）
1、A 2、C 3、A 4、B 5、B 6、C 7、A 8、A 9、C 10、A
三、 判断题（对的打“；错的打“）”10分）
1、\" 2、\"
四、 综合题：
3、x 4>V 5、x
△ IC Ic2-lc 2.4mA-0.8mA 1.6 102卩 A 1、B= ----- =—
△ IB IB—IB
十 勺
—二 = 吗3.3
40卩 A —10卩 A 30卩 A
2、
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