半导体刻蚀设备[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体刻蚀设备专利类型：实用新型专利

发明人：周亚勇,盖晨光,曾德强,刘家桦,叶日铨申请号：CN201820936600.2申请日：20180614公开号：CN208444805U公开日：20190129

摘要：本实用新型提供了一种半导体刻蚀设备，包括反应腔，在反应腔内设置有晶片支座，晶片支座用于承载晶片以利用等离子体对该晶片进行刻蚀，反应腔还包括内衬，内衬围绕反应腔的侧壁设置，内衬由多个片状构件沿着侧壁围合而成，多个片状构件设置为彼此至少有一部分重叠，使得反应腔的侧壁不会相对于晶片露出。本实用新型提供的半导体刻蚀设备设有片状构件，使其沿侧壁排布并至少一部分重叠而形成内衬，从而能够阻止等离子体直接与反应腔的侧壁发生接触，实现对反应腔侧壁的全面保护。涡轮泵工作时，能够通过内衬产生螺旋气流，对聚合物产生强大的吸除力，便于清洁反应腔，提高反应腔的清洁度。

申请人：德淮半导体有限公司

地址：223300 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

国籍：CN

代理机构：上海立群专利代理事务所(普通合伙)

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