半导体刻蚀工艺的终点检测方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：半导体刻蚀工艺的终点检测方法专利类型：发明专利

发明人：肖东风,贾照伟,王坚,王晖申请号：CN201510081945.5申请日：20150215公开号：CN105990175A公开日：20161005

摘要：本发明揭示了一种半导体刻蚀工艺的终点检测方法，所刻蚀的半导体结构至少包括阻挡层和介质层，选用的刻蚀气体为二氟化氙，其中：在刻蚀工艺结束前，向刻蚀环境中通入HF气体以产生终点标记产物，当监测到终点标记产物生成时，终结刻蚀工艺。采用本发明所提供的技术方案，能够大大提高终点检测的精确度，帮助操作人员及时地终结刻蚀工艺，以改善半导体结构的品质，避免刻蚀不完全或过刻。

申请人：盛美半导体设备(上海)有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢

国籍：CN

代理机构：上海专利商标事务所有限公司

代理人：陆嘉

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