专利名称：集成电路器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：文瑄敏,金洙焕,金铉埈,朴成律,朴瑛琳,蒋在完申请号：CN201910312232.3申请日：20190418公开号：CN110931466A公开日：20200327
摘要：本公开提供了集成电路器件及其制造方法。在集成电路器件的电容器中，电介质结构包括通过氧化电极的表面获得的结晶诱导膜以及形成在结晶诱导膜上的电介质膜，以减少电介质膜中产生的缺陷密度，改善泄漏电流，并减小等效氧化物厚度。
申请人：三星电子株式会社
地址：韩国京畿道
国籍：KR
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：王新华
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容